2002 微芯 技术 公司 ds21453b-页 3
tc652/tc653
1.0 电的
特性
绝对 最大 Ratings*
输入 电压 (v
DD
至 地) ...................................+6V
输出 电压 (输出 至 地) ................................. 6V
电压 在 任何 管脚....... (地 – 0.3v) 至 (v
DD
+0.3v)
包装 热的 阻抗 (
θ
JA
)
........... 250°c/w
运行 温度 范围 ......... -40°c 至 +125°C
存储 温度 ......................... -65°c 至 +150°C
*Stresses 在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大 rat-
ings" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是
压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在
这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指. expo-
确信 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 将 影响 设备 可靠性.
tc652/tc653 电的 规格
电的 特性:
V
DD
= 2.8v 至 5.5v, SHDN =V
DD
,t
一个
=-40
°
Cto125
°
C 除非 否则 指定.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
V
DD
供应 电压 2.8 — 5.5 V
I
DD
供应 电流 — 50 90
µ
apwm,故障,t
在
是
打开
SHDN
输入
V
IH
SHDN 输入 高 门槛 65 — — %V
DD
V
IL
SHDN 输入 低 门槛 — — 15 %V
DD
PWM 输出
V
OL
PWM 输出 低 电压 — — 0.3 V I
下沉
=1mA
V
OH
PWM 输出 高 电压 V
DD
–0.5 — — V I
源
=5mA
t
R
PWM 上升 时间 — 10 —
µ
秒 I
OH
=5ma,1nffrom
PWM 至 地
t
F
PWM 下降 时间 — 10 —
µ
秒 I
OL
=1ma,1nffrom
PWM 至 地
f
输出
PWM 频率 10 15 — Hz
t
STARTUP
开始-向上 时间 — 32/f
输出
—secV
DD
Rises 从 地,
或者 SHDN
Released
V
TH (sense)
Sense 输入 — 70 — mV Sense 输入 门槛
电压 和 Repect 至
地面
温度 精度
T
h acc
高 温度 精度 T
H
-3 T
H
T
H
+3
°
C
便条 1
(t
h –
T
L
)
ACC
温度 范围 精度 -1.0 — +1.0
°
c(t
H
–T
L
)
≤
20
°
C
-2.5 — +2.5
°
c(t
H
–T
L
)
≥
20
°
C
T
HYST
自动-关闭 Hysteresis — (t
H
–T
L
)/5 —
°
CTC653Only
故障
输出
V
高
FAULT 输出 高 电压 V
DD
–0.5 — — V I
源
=1.2ma
V
低
FAULT 输出 低 电压 — — 0.4 V I
下沉
=2.5ma
tmp Missing 脉冲波 探测器
时间-out
——32/f
输出
秒
T
在
输出
V
高
T
在
输出 高 电压 V
DD
–0.5 — — V I
源
=1.2ma
V
低
T
在
输出 低 电压 — — 0.4 V I
下沉
=2.5ma
T
在 ACC
绝对 精度 — T
H
+ 10 — °C 在 Trip 要点
T
在 HYST
Trip 要点 Hysteresis — 5 — °C
便条 1:
转变 从 90% 至 100% 职责 循环.
: 点此下载