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半导体 组 10
tca 505 bg
特性
4 v
≤
V
S
≤
40 v;
T
一个
= – 40 至 110 ˚c
参数 标识
最小值 典型值 最大值
单位 测试
电路
电源 供应 (
V
S
)
振荡器 (lc,
R
Di
)
demodulator, 门槛 转变 (
C
I
,
R
Hy
)
涉及 电压 (
V
REF
); 根基 输出 晶体管
电流 消耗量
正常的 模式 (s1 = s2 = 止)
二-线 运作
s1 = 在, s2 = 止
4 v
≤
V
S
≤
12 v
I
S
I
S
550
625
740
840
µ
一个
µ
一个
1
1
转变-在 门槛
(输出 起作用的)
s1 = 止
V
TON1
3.64 4 V 1
转变-止 门槛
(输出 无能)
s1 = 止
V
TOFF1
3.0 3.6 V 1
Hysteresis
V
TON1
–
V
TOFF1
s1 = 止
∆
V
Hy1
40 mV 1
振荡器 频率
f
OSC
3 MHz 1
振荡器 振幅
一个
OSC
0.8
V
pp
1
门槛 在
C
I
V
CI
2V1
hysteresis 在
C
I
V
HyCI
0.8 V 1
电流 在
C
I
I
CI
7
µ
A1
电流 从
C
I
–
I
CI
6
µ
A1
切换 频率
C
I
< 50 pf
f
S
5 kHz 1
(l = 70
µ
h)
涉及 电压
I
REF
= 0 至 100
µ
一个
V
REF
2.65 2.9 3.10 V
补偿 电压
V
B
=
V
Q2
,
4
V
B
=
V
REF
;
I
Q2
,
4
= 5 毫安
V
OB
110 155 mV 1
限制 值

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半导体组 10 tca 505 bg 特性 4 v ≤ V S ≤ 40 v; T 一个 = – 40 至 110 ˚c 参数标识最小值典型值最大值单位测试电路电源供应 ( V S ) 振荡器 (lc, R Di ) demodulator, 门槛转变 ( C I , R Hy ) 涉及电压 ( V REF ); 根基输出晶体管电流消耗量正常的模式 (s1 = s2 = 止) 二-线运作 s1 = 在, s2 = 止 4 v ≤ V S ≤ 12 v I S I S 550 625 740 840 µ 一个 µ 一个 1 1 转变-在门槛 (输出起作用的) s1 = 止 V TON1 3.64 4 V 1 转变-止门槛 (输出无能) s1 = 止 V TOFF1 3.0 3.6 V 1 Hysteresis V TON1 – V TOFF1 s1 = 止 ∆ V Hy1 40 mV 1 振荡器频率 f OSC 3 MHz 1 振荡器振幅一个 OSC 0.8 V pp 1 门槛在 C I V CI 2V1 hysteresis 在 C I V HyCI 0.8 V 1 电流在 C I I CI 7 µ A1 电流从 C I – I CI 6 µ A1 切换频率 C I < 50 pf f S 5 kHz 1 (l = 70 µ h) 涉及电压 I REF = 0 至 100 µ 一个 V REF 2.65 2.9 3.10 V 补偿电压 V B = V Q2 , 4 V B = V REF ; I Q2 , 4 = 5 毫安 V OB 110 155 mV 1 限制值

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