半导体 组 11
tca 505 bg
特性
(内容’d)
4 v
≤
V
S
≤
40 v;
T
一个
= – 40 至 110 ˚c
参数 标识
最小值 典型值 最大值
单位 测试
电路
二-线 调整器 (
V
T
)
限制 值
转变-在, 转变-止 和 短的-电路 延迟 (
C
D
)
输出 (q1, q2, q3, q4)
shortcircuit 探测器 (sc)
转变-在 门槛
(输出 起作用的) s1 = 在
V
TON2
6.7 8 9.3 V 1
转变-在 门槛
(输出 无能) s1 = 在
V
TOFF2
5.0 6 7.0 V 1
Hysteresis
V
TON2
–
V
TOFF2
, s1 = 在
∆
Hy
2
1.6 2 2.4 V 1
转变-在 延迟 s1 = 止
t
DON
0.49 0.65 0.82 ms/nf 2
转变-止 延迟 s1 = 止;
V
S
≥
3.6 v
t
VA
17.0 25 34.0
µ
s/nf 2
shortcircuit 转变-止 延迟
s1 = 止
t
SC
1.70 2.5 3.40
µ
s/nf 2
shortcircuit pause s1 = 止
t
P
0.36 0.5 0.65 ms/nf 2
residual 电压
q1-q2, q3-q4
sq2 0-1 = 在, sq4 0-1 = 在
s1 = 止
I
Q
= 5 毫安
I
Q
= 60 毫安
I
Q
= 60 毫安
V
QRes
V
QR
V
QR
V
QR
V
S
– 2.2
0.10
0.5
V
S
–1.8
0.14
0.99
V
V
V
1
1
1
反转 电流 在 q1, 3
I
QR
10
µ
一个
residual 电流 在 q2, 4
*
)
q2, 4 组织 但是 q1, 3 打开
I
Qres
50
µ
A1
在 情况 的 短的-电路 输出 电流
I
QSC
300 500 毫安 1
触发 水平的 ref. 至
V
S
, s1 = 止
V
SCS
0.255 0.3 0.345 V 1
触发 电流 s1 = 止
I
SCS
30
µ
A1
触发 水平的 ref. 至 地面 s1 = 止
V
SCO
0.255 0.3 0.345 V 1
触发 电流 s1 = 止 –
I
SCO
6
µ
A1
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