tcet120.(g) 向上 至 tcet2200
Vishay
半导体
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8 (12)
文档 号码 83501
rev. a2, 08–feb–01
110
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
v – 集电级 发射级 饱和 电压 ( v )
CEsat
I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
100
CTR=50%
20%
10%
95 11028
图示 12. 集电级 发射级 饱和 电压 vs.
集电级 电流
0.1 1 10
1
10
100
1000
ctr – 电流 转移 比率 ( % )
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11029
V
CE
=5V
图示 13. 电流 转移 比率 vs. 向前 电流
ET1100
820UTK63
类型
日期
代号
连接
系统
指示信号
公司
标志
生产
Location
15081
pin1 indication
(ym)
图示 14. 标记 例子
02 4 6
0
2
4
6
8
10
I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
10
95 11030
t / t – 转变 在 / 转变 止 时间 ( s )
止
m
在
非 saturated
运作
V
S
=5V
R
L
=100
W
t
止
t
在
图示 15. 转变 在 / 止 时间 vs. 集电级 电流
0 5 10 15
0
10
20
30
40
50
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
20
95 11031
t / t – 转变 在 / 转变 止 时间 ( s )
止
m
在
saturated 运作
V
S
=5V
R
L
=1k
W
t
止
t
在
图示 16. 转变 在 / 止 时间 vs. 向前 电流