tcrt1000/ tcrt1010
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4 (7) rev. a3, 27
–
将
–
99
文档 号码 83752
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
100
200
300
0 255075100
95 11071
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
tot
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 2. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 3. 向前 电流 vs. 向前 电压
–25 0 25 50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
ctr – 相关的 电流 转移 比率
rel
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
100
95 11074
75
V
CE
=5V
I
F
=20mA
d=1mm
图示 4. 相关的 电流 转移 比率 vs.
包围的 温度
0.1 1 10
0.01
0.1
1.0
10.0
V
CE
– 集电级 发射级 电压 ( v )
100
95 11075
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
kodak neutral card
(白 一侧)
d = 1.0 mm
I
F
= 50 毫安
20 毫安
10 毫安
5 毫安
2 毫安
图示 5. 集电级 电流 vs. 集电级 发射级 电压
0.1 1 10
0.1
1
10
100
ctr – 电流 转移 比率 ( % )
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11076
d=1mm
V
CE
=5V
图示 6. 电流 转移 比率 vs. 向前 电流
02468
0.1
1
10
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
d – 距离 ( mm )
10
95 11077
V
CE
=5V
I
F
=20mA
0.01
图示 7. 集电级 电流 vs. 距离
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