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资料编号:644719
 
资料名称:TE28F400CVT80
 
文件大小: 706.15K
   
说明
 
介绍:
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
3.3.2.1 clearing 这 状态 寄存器
这 wsm sets 状态 位 3 通过 7 至
“1,” 和
clears 位 6 和 7 至 “0,” 但是 不能 clear 状态
位 3 通过 5 至 “0.” 位 3 通过 5 能 仅有的 是
cleared 用 这 controlling cpu 通过 这 使用 的
这 clear 状态 寄存器 (50h) command, 因为
这些 位 表明 各种各样的 错误 情况. 用
准许 这 系统 软件 至 控制 这 resetting
的 这些 位, 一些 行动 将 是 执行
(此类 作 cumulatively 程序编制 一些 字节
或者 erasing 多样的 blocks 在 sequence) 在之前
读 这 状态 寄存器 至 决定 如果 一个 错误
occurred 在 那 序列. clear 这 状态
寄存器 在之前 beginning 另一 command 或者
sequence. 便条, 又一次, 那 一个 读 排列
command 必须 是 issued 在之前 数据 能 是 读
从 这 记忆 或者 intelligent identifier.
3.3.3 程序 模式
程序编制 是 executed 使用 一个 二-写
sequence. 这 程序 建制 command 是 写
至 这 cui followed 用 一个 第二 写 这个
specifies 这 地址 和 数据 至 是 编写程序.
这 wsm 将 execute 一个 sequence 的 内部
安排时间 events 至:
1. 程序 这 desired 位 的 这 addressed
记忆 文字 或者 字节.
2. 核实 那 这 desired 位 是 sufficiently
编写程序.
程序编制 的 这 记忆 结果 在 明确的 位
在里面 一个 字节 或者 文字 正在 changed 至 一个 “0.”
如果 这 用户 attempts 至 程序 “1”s, 那里 将 是 非
改变 的 这 记忆 cell 内容 和 非 错误
occurs.
这 状态 寄存器 indicates 程序编制 状态:
当 这 程序 sequence 是 executing, 位 7 的
这 状态 寄存器 是 一个 “0.” 这 状态 寄存器
能 是 polled 用 toggling 也 ce# 或者 oe#. 当
程序编制, 这 仅有的 有效的 command 是 读
状态 寄存器.
当 程序编制 是 完全, 这 程序
状态 位 应当 是 审查. 如果 这 程序编制
运作 是 unsuccessful, 位 4 的 这 状态
寄存器 是 设置 至 一个 “1” 至 表明 一个 程序
失败. 如果 位 3 是 设置 至 一个 “1,” 然后 v
PP
是 不
在里面 可接受的 限制, 和 这 wsm did 不
execute 这 程序编制 sequence.
这 状态 寄存器 应当 是 cleared 在之前
attempting 这 next 运作. 任何 cui 操作指南
能 follow 之后 程序编制 是 完成;
不管怎样, 读 从 这 记忆 排列 或者
intelligent identifier 不能 是 accomplished 直到
这 cui 是 给 这 适合的 command.
3.3.4 擦掉 模式
至 擦掉 一个 块, 写 这 擦掉 设置-向上 和 擦掉
confirm commands 至 这 cui, along 和 这
地址 identifying 这 块 至 是 erased. 这些
地址 是 latched 内部 当 这 擦掉
confirm command 是 issued. 块 erasure 结果
在 所有 位 在里面 这 块 正在 设置 至 “1.” 仅有的 一个
块 能 是 erased 在 一个 时间.
这 wsm 将 execute 一个 sequence 的 内部
安排时间 events 至:
1. 程序 所有 位 在里面 这 块 至 “0.”
2. 核实 那 所有 位 在里面 这 块 是
sufficiently 编写程序 至 “0.”
3. 擦掉 所有 位 在里面 这 块 至 “1.”
4. 核实 那 所有 位 在里面 这 块 是
sufficiently erased.
当 这 擦掉 sequence 是 executing, 位 7 的 这
状态 寄存器 是 一个 “0.”
当 这 状态 寄存器 indicates 那 erasure 是
完全, 审查 这 擦掉 状态 位 至 核实 那
这 擦掉 运作 是 successful. 如果 这 擦掉
运作 是 unsuccessful, 位 5 的 这 状态
寄存器 将 是 设置 至 一个 “1,” 表明 一个 擦掉
失败. 如果 v
PP
是 不 在里面 可接受的 限制 之后
这 擦掉 confirm command 是 issued, 这 wsm
将 不 execute 一个 擦掉 sequence; instead, 位 5 的
这 状态 寄存器 是 设置 至 一个 “1” 至 表明 一个
擦掉 失败, 和 位 3 是 设置 至 一个 “1” 至 identify 那
V
PP
供应 电压 是 不 在里面 可接受的 限制.
clear 这 状态 寄存器 在之前 attempting 这
next 运作. 任何 cui 操作指南 能 follow 之后
erasure 是 完成; 不管怎样, 读 从 这
记忆 排列, 状态 寄存器, 或者 intelligent
identifier 不能 是 accomplished 直到 这 cui 是
给 这 读 排列 command.
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