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资料编号:655789
 
资料名称:TN28F020-90
 
文件大小: 878.8K
   
说明
 
介绍:
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
28F020
15
开始 erasure
(4)
数据 = 00h?
程序 所有
字节 至 00h
应用 v
PPH
(1)
地址 = 00h
plscnt = 0
时间 输出 10 ms
时间 输出 6 µs
读 数据
从 设备
数据 = ffh?
Inc
plscnt =
1000?
last 地址?
Erasure
完成
擦掉 错误
写 擦掉
设置-向上 cmd
写 擦掉 cmd
写 读 cmd
应用 v
PPL
(1)
应用 v
PPL
(1)
写 擦掉
核实 cmd
increment 地址
Y
总线
运作
Comments
全部 记忆 必须 = 00h
在之前 erasure
使用 快-脉冲波
程序编制 algorithm
(图示 4)
备用物品 wait 为 v
PP
ramp 至 v
PPH
(1)
initialize 地址 和
脉冲波-计数
数据 = 20h
数据 = 20h
保卫-用
持续时间 的 擦掉 运作
(t
WHWH2
)
地址 = 字节 至 核实;
数据 = a0h; stops 擦掉
运作
(3)
备用物品 t
WHGL
读 字节 至 核实 erasure
备用物品
对比 输出 至 ffh
increment 脉冲波-计数
备用物品 wait 为 v
PP
ramp 至 v
PPL
(1)
N
Y
N
N
N
Y
Y
Command
设置-向上
擦掉
擦掉
擦掉
(2)
核实
数据 = 00h, resets 这
寄存器 为 读 行动
0245_05
注释:
1.
直流 特性
为 这 值 的 v
PPH
和 v
PPL
.
2. 擦掉 核实 是 执行 仅有的 之后 碎片-erasure. 一个 最终 读/对比 将 是 执行 (optional) 之后 这 寄存器 是
写 和 这 读 command.
3. 谈及 的
principles 的 运作
.
4.
提醒:
这 algorithm
必须 是 followed
至 确保 恰当的 和 可依靠的 运作 的 这 设备.
图示 5. 28f020 快-擦掉 algorithm
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