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资料编号:655789
 
资料名称:TN28F020-90
 
文件大小: 878.8K
   
说明
 
介绍:
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
28F020
19
4.4 直流 特性
—ttl/nmos compatible—commercial 产品
限制
标识 参数 注释 最小值 典型值
(3)
最大值 单位 测试 情况
I
LI
输入 泄漏
电流
1
±1.0 µA V
CC
= v
CC
最大值
V
= v
CC
或者 v
SS
I
LO
输出 泄漏
电流
1 ±10 µA V
CC
= v
CC
最大值
V
输出
= v
CC
或者 v
SS
I
CCS
V
CC
备用物品
电流
1 0.3 1.0 毫安 V
CC
= v
CC
最大值
ce# = v
IH
I
CC1
V
CC
起作用的
读 电流
11030mAV
CC
= v
CC
最大值
ce# = v
IL
f = 6 mhz
I
输出
= 0 毫安
I
CC2
V
CC
程序编制
电流
1, 2 1.0 10 毫安 程序编制 在
Progress
I
CC3
V
CC
擦掉
电流
1, 2 5.0 15 毫安 erasure 在
Progress
I
CC4
V
CC
程序
核实 电流
1, 2 5.0 15 毫安 V
PP
= v
PPH
程序 核实
在 progress
I
CC5
V
CC
擦掉
核实 电流
1, 2 5.0 15 毫安 V
PP
= v
PPH
擦掉 核实
在 progress
I
PPS
V
PP
泄漏
电流
1 ±10 µA V
PP
V
CC
I
PP1
V
PP
电流, id
电流
1 90 200 µA V
PP
> v
CC
或者 备用物品
电流
±10 V
PP
V
CC
I
PP2
V
PP
程序编制
电流
1, 2 8 30 毫安 V
PP
= v
PPH
程序编制 在
Progress
I
PP3
V
PP
擦掉
电流
1, 2 10 30 毫安 V
PP
= v
PPH
I
PP4
V
PP
程序
核实 电流
1, 2 2.0 5.0 毫安 V
PP
= v
PPH
程序 核实 在
Progress
I
PP5
V
PP
擦掉-
核实 电流
1, 2 2.0 5.0 毫安 V
PP
= v
PPH
擦掉 核实 在
Progress
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