初步的
17
8xc251sa/sb/sp/sq高-效能 chmos 微控制器
V
OH
1
输出 高 电压
(端口 0 在 外部
地址)
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.7
V
CC
– 1.5
VI
OH
= -200 µa
I
OH
= -3.2 毫安
I
OH
= -7.0 毫安
V
OH
2
输出 高 电压
(端口 2 在 外部
地址 在 页
模式)
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.7
V
CC
– 1.5
VI
OH
= -200 µa
I
OH
= -3.2 毫安
I
OH
= -7.0 毫安
I
IL
logical 0 输入 cur-
rent (端口 1, 2, 3)
-50 µA vin = 0.45 v
I
LI
输入 泄漏 cur-
rent (端口 0)
+/-10 µA 0.45 < vin < v
CC
I
TL
logical 1-至-0 transi-
tion 电流 (端口 1,
2, 3)
-650 µA vin = 2.0 v
R
RST
rst pulldown resis-
tor
40 225 k
Ω
C
IO
管脚 电容 10
(便条 4)
pF F
OSC
= 16 mhz
T
一个
= 25 °c
I
PD
powerdown 电流 10
(便条 4)
20 µA
I
DL
空闲 模式 电流 12
(便条 4)
15 毫安 F
OSC
= 16 mhz
I
CC
运行 电流 45
(便条 4)
80 毫安 F
OSC
= 16 mhz
表格 9. 直流 特性 在 v
CC
= 4.5 – 5.5 v (持续)
标识 参数 最小值 典型 最大值 单位 测试 情况
注释:
1. 下面 稳步的-状态 (非-瞬时) 情况, i
OL
必须 是 externally 限制 作 跟随:
最大 i
OL
每 端口 管脚: 10 毫安
最大 i
OL
每 8-位 端口:
端口 0 26 毫安
端口 1–3 15 毫安
最大 总的 i
OL
为
所有 输出 管脚 71 毫安
如果 i
OL
超过 这 测试 情况, v
OL
将 超过 这 related 规格. 管脚 是 不 有保证的
至 下沉 电流 更好 比 这 列表 测试 情况.
2. 电容的 加载 在 端口 0 和 2 将 导致 spurious 噪音 脉冲 在之上 0.4 v 在 这 低-水平的
输出 的 ale 和 端口 1, 2, 和 3. 这 噪音 是 预定的 至 外部 总线 电容 discharging 在
这 端口 0 和 端口 2 管脚 当 这些 管脚 改变 从 高 至 低. 在 产品 在哪里 电容的
加载 超过 100 pf, 这 噪音 脉冲 在 这些 信号 将 超过 0.8 v. 它 将 是 desirable 至
qualify ale 或者 其它 信号 和 一个 施密特 触发 或者 cmos-水平的 输入 逻辑.
3. 电容的 加载 在 端口 0 和 2 导致 这 v
OH
在 ale 和 psen# 至 漏出 在下 这 specifica-
tion 当 这 地址 线条 是 stabilizing.
4. 典型 值 是 得到 使用 v
CC
= 5.0, t
一个
= 25°c 和 是 不 有保证的.
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