TPA2010D1_集成电路资料查询网

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slos417a − october 2003 − 修订 12月 2003
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4
终端 功能
终端
i/o 描述
名字 yef, yzf
i/o 描述
IN− C1 I 负的 差别的  输入
IN+ A1 I 积极的 differential  输入
V
DD
B1 I 电源 供应
V
O+
C3 O 积极的 btl 输出
地 a2, b3 I 高-电流  地面
V
O−
A3 O 负的 btl 输出
关闭 C2 I 关闭 终端 (起作用的 低 逻辑)
PVDD B2 I 电源 供应
函数的 块 图解
_
+
_
+
_
+
_
+
150 k
Ω
150 k
Ω
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+
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+
Deglitch
逻辑
Deglitch
逻辑
门
驱动
门
驱动
V
DD
OC
发现
Startup
保护
逻辑
Ramp
发生器
Biases
和
References
TTL
输入
缓存区
SD
*gain = 2 v/v
b1, b2
V
DD
A3
V
O−
C3
V
O+
a2, b3
地
C1
IN−
A1
IN+
C2
关闭
300 k
Ω
注释:
* 总的 增益 =
150 k
Ω
R
I
2 x
150 k
Ω
R
I
*gain =

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 slos417a − october 2003 − 修订 12月 2003 www.德州仪器.com 4 终端功能终端 i/o 描述名字 yef, yzf i/o 描述 IN− C1 I 负的差别的输入 IN+ A1 I 积极的 differential 输入 V DD B1 I 电源供应 V O+ C3 O 积极的 btl 输出地 a2, b3 I 高-电流地面 V O− A3 O 负的 btl 输出关闭 C2 I 关闭终端 (起作用的低逻辑) PVDD B2 I 电源供应函数的块图解 _ + _ + _ + _ + 150 k Ω 150 k Ω _ + _ + Deglitch 逻辑 Deglitch 逻辑门驱动门驱动 V DD OC 发现 Startup 保护逻辑 Ramp 发生器 Biases 和 References TTL 输入缓存区 SD gain = 2 v/v b1, b2 V DD A3 V O− C3 V O+ a2, b3 地 C1 IN− A1 IN+ C2 关闭 300 k Ω 注释: 总的增益 = 150 k Ω R I 2 x 150 k Ω R I *gain =

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