ts420 序列
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图. 4:
相关的 变化 的 门 触发 电流
和 支持 电流 相比 接合面 温度.
图. 5:
相关的 变化 的 支持 电流
相比 门-cathode 阻抗 (典型 值).
图. 6:
相关的 变化 的 dv/dt 免除
相比 门-cathode 阻抗 (典型 值).
图. 7:
相关的 变化 的 dv/dt 免除
相比 门-cathode 阻抗 (典型 值).
图. 8:
surge 顶峰 在-状态 电流 相比
号码 的 循环.
图. 9:
非-repetitive surge 顶峰 在-状态
电流 为 一个 sinusoidal 脉冲波 和 宽度
tp < 10 ms, 和 相应的 值 的 i²t.
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
igt,ih,il [tj] / igt ,ih,il [tj = 25 °C]
IGT
ih &放大; il
rgk = 1k
Ω
tj(°c)
ih[rgk] / ih[rgk = 1k ]
Ω
rgk(k
Ω)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2 1.4
1.6 1.8 2.0
0.01
0.10
1.00
10.00
Tj=125°C
vd=0.67xvdrm
dv/dt[rgk] / dv/dt [rgk = 220 ]
Ω
rgk(
Ω
)
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
0
2
4
6
8
10
vd = 0.67 x VDRM
tj = 125 °C
rgk = 220
Ω
dv/dt[cgk] / dv/dt [rgk = 220
Ω
]
cgk(nf)
1 10 100 1000
0
5
10
15
20
25
30
35
itsm(一个)
非 repetitiv e
tj 最初的 = 25 °C
Repetitive
tcase = 115 °C
号码 的 cycles
一个 循环
tp = 10ms
0.01 0.10 1.00 10.00
1
10
100
300
itsm(一个),i
2
t(一个
2
s)
tj 最初的 = 25 °C
ITSM
I
2
t
di/dt
limitattion
tp(ms)
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