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1999 十一月 03 21
飞利浦 半导体 产品 规格
sdh/sonet stm4/oc12 和
1.25 gbits/s gigabit ethernet postampliﬁers
tza3044; tza3044b
物理的 特性 的 bare 消逝
参数 值
glass passivation 2.1
µ
m psg (phosphosilicate glass) 在 顶 的 0.65
µ
m oxynitride
使牢固结合 垫子 维度 最小 维度 的 exposed 敷金属 是 90
×
90
µ
m (垫子 大小 = 100
×
100
µ
m)
敷金属 1.22
µ
m w/alcu/tiw
厚度 380
µ
m 名义上的
大小 1.55
×
1.55 mm (2.4 mm
2
)
Backing 硅; 用电气 连接 至 地 潜在的 通过 基质 联系
attache 温度 <440
°
c; 推荐 消逝 attache 是 glue
attache 时间 <15 s
图.27  使牢固结合 垫子 locations 的 tza3044u 和 tza3044bu.
handbook, 全部 pagewidth
AGND 4
V
CCD
27
测试
26
DGND
25
DOUT
24
DOUTQ
23
DGND
22
TEST21
DGND
20
AGND
6
DIN
7
DINQ
8
AGND 9
测试 10
V
CCA
11
n.c.
5
TZA3044U
TZA3044BU
12
V
CCA
3
AGND
2
测试
1
SUB
32
n.c.
31
n.c.
30
RSET
29
V
ref
28
V
CCD
13
CF
14
SUB
15
测试
16
JAM
17
STQ
18
ST
19
DGND
MGR242
1.55
(1)
mm
1.55
(1)
mm
x
y
0
0
(1) 典型 值.

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1999 十一月 03 21 飞利浦半导体产品规格 sdh/sonet stm4/oc12 和 1.25 gbits/s gigabit ethernet postampliﬁers tza3044; tza3044b 物理的特性的 bare 消逝参数值 glass passivation 2.1 µ m psg (phosphosilicate glass) 在顶的 0.65 µ m oxynitride 使牢固结合垫子维度最小维度的 exposed 敷金属是 90 × 90 µ m (垫子大小 = 100 × 100 µ m) 敷金属 1.22 µ m w/alcu/tiw 厚度 380 µ m 名义上的大小 1.55 × 1.55 mm (2.4 mm 2 ) Backing 硅; 用电气连接至地潜在的通过基质联系 attache 温度 <440 ° c; 推荐消逝 attache 是 glue attache 时间 <15 s 图.27 使牢固结合垫子 locations 的 tza3044u 和 tza3044bu. handbook, 全部 pagewidth AGND 4 V CCD 27 测试 26 DGND 25 DOUT 24 DOUTQ 23 DGND 22 TEST21 DGND 20 AGND 6 DIN 7 DINQ 8 AGND 9 测试 10 V CCA 11 n.c. 5 TZA3044U TZA3044BU 12 V CCA 3 AGND 2 测试 1 SUB 32 n.c. 31 n.c. 30 RSET 29 V ref 28 V CCD 13 CF 14 SUB 15 测试 16 JAM 17 STQ 18 ST 19 DGND MGR242 1.55 (1) mm 1.55 (1) mm x y 0 0 (1) 典型值.

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