UCC27321DGN_集成电路资料查询网

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slus504c −九月 2002 − 修订 十一月 2004
15
www.德州仪器.com
典型 特性
图示 17
传播 时间
vs
顶峰 输入 电压
传播 time − ns
t
D2
V
在(顶峰)
− 顶峰 输入 电压 − v
30
40
45
25
50
35
0
10
15
20
5
1
50105
t
上升
t
下降
t
D1
V
DD
= 15 v
C
加载
= 10 nf
T
一个
= 25
°
C
图示 18
−50
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
125−25 0 25 50 10075
输入 门槛
vs
温度
V
在
− 输入 门槛 电压 − v
T
J
− 温度 −
°
C
V
DD
= 15 v
V
DD
= 10 v
V
DD
= 4.5 v
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
−50 125−25 0 25 50 10075
使能 门槛 和 hysteresis
vs
温度
T
J
− 温度 −
°
C
使能 门槛 和 hysteresis − v
图示 19
enbl − 在
enbl − 止
enbl − hysteresis
图示 20
使能 阻抗
vs
温度
R
ENBL
− 使能 阻抗 −
Ω
T
J
− 温度 −
°
C
110
130
140
100
150
120
70
80
90
60
−50 12
5−25 0 25 50 10075
50

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    slus504c −九月 2002 − 修订十一月 2004 15 www.德州仪器.com 典型特性图示 17 传播时间 vs 顶峰输入电压传播 time − ns t D2 V 在(顶峰) − 顶峰输入电压 − v 30 40 45 25 50 35 0 10 15 20 5 1 50105 t 上升 t 下降 t D1 V DD = 15 v C 加载 = 10 nf T 一个 = 25 ° C 图示 18 −50 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 125−25 0 25 50 10075 输入门槛 vs 温度 V 在 − 输入门槛电压 − v T J − 温度 − ° C V DD = 15 v V DD = 10 v V DD = 4.5 v 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 0.5 −50 125−25 0 25 50 10075 使能门槛和 hysteresis vs 温度 T J − 温度 − ° C 使能门槛和 hysteresis − v 图示 19 enbl − 在 enbl − 止 enbl − hysteresis 图示 20 使能阻抗 vs 温度 R ENBL − 使能阻抗 − Ω T J − 温度 − ° C 110 130 140 100 150 120 70 80 90 60 −50 12 5−25 0 25 50 10075 50

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