slus504c −九月 2002 − 修订 十一月 2004
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应用 信息
VDD
虽然安静的 vdd电流 是 非常 低, 总的 供应 电流 将 是 高等级的, 取决于 在 outa 和 outb
电流 和 这 运行 频率. 总的 vdd 电流 是 这 总 的 安静的 vdd 电流 和 这 平均
输出 电流. knowing 这 运行 频率 和 这 场效应晶体管 门 承担 (qg), 平均 输出 电流 能
是 计算 从:
I
输出
= qg x f, 在哪里 f 是 频率
为 这 最好的 高-速 电路 效能, 二 v
DD
绕过 电容 是 推荐 tp 阻止 噪音
问题. 这 使用 的表面 挂载 组件 是 高级地 推荐. 一个 0.1-
µ
f 陶瓷的 电容 应当
是 located closest 至 这 vdd 至 地面 连接. 在 增加, 一个 大 电容 (此类 作 1-
µ
f) 和 相当地
低 等效串联电阻 应当 是 连接 在 并行的, 至 帮助 deliver 这 高 电流 顶峰 至 这 加载. 这 并行的
结合体的 电容 应当 呈现 一个 低 阻抗 典型的 为 这 预期的 电流 水平 在 这
驱动器 应用.
驱动 电流 和 电源 (所需的)东西
这 ucc37321/2 家族 的 驱动器 是 有能力 的 传送 9-一个 的 电流 至 一个 场效应晶体管 门 为 一个 时期 的
一些hundred nanoseconds. 高 顶峰 电流 是 必需的 至 转变 一个 n-频道 设备 在 quickly. 然后, 至
转变 这 设备 止, 这 驱动器 是 必需的 至 下沉 一个 类似的 数量 的 电流 至 地面. 这个 repeats 在 这
运行 频率 的 这 电源 设备. 一个 n-频道 场效应晶体管 是 使用 在 这个 discussion 因为 它 是 这
大多数 一般 类型 的 切换 设备 使用 在 高 频率 电源 转换 设备.
references 1 和 2 包含 详细地 discussions 的 这 驱动 电流 必需的 至 驱动 一个 电源 场效应晶体管 和
其它 capacitive−input 切换 设备. 更 信息 是 提供 在 tabular 表格 至 给 一个 范围 的 这
电流 必需的 为各种各样的 设备 在 各种各样的 发生率. 这 信息 pertinent 至 calculating 门 驱动
电流 (所需的)东西 将 是 summarized here; 这 原来的 文档 是 有 从 这 德州仪器 网站.
当 一个驱动器 设备 是 测试 和 一个 分离的, 电容的 加载 它 是 一个 fairly 简单的 matter 至 计算 这 电源
那 是 必需的 从 这 偏差 供应. 这 活力 那 必须 是 transferred 从 这 偏差 供应 至 承担 这
电容 是 给 用:
E
1
2
CV
2
, 在哪里 c 是 这 加载 电容 和 v 是 这 偏差 电压 feeding 这 驱动器.
那里 是 一个 equal 数量 的 活力 transferred 至 地面 当 这 电容 是 释放. 这个 leads 至 一个
电源 丧失 给 用 这 下列的:
P
2
1
2
CV
2
f, 在哪里 f 是 这 切换 频率.
这个电源 是 dissipated 在 这 resistive elements 的 这 电路. 因此, 和 非 外部 电阻 在 这 驱动器
和 门, 这个 电源 是 dissipated inside 这 驱动器. half 的 这 总的 电源 是 dissipated 当 这 电容 是
charged, 和 这 其它 half 是 dissipated 当 这 电容 是 释放. 一个 真实的 例子 使用 这
情况 的 这 previous 门 驱动 波形 应当 帮助 clarify 这个.
和 v
DD
= 12 v, c
加载
= 10 nf, 和 f = 300 khz, 这 电源 丧失 能 是 计算 作:
p = 10 nf x (12)
2
x (300 khz) = 0.432 w
和 一个 12-v 供应, 这个 将 同等看待 至 一个 电流 的:
I
P
V
0.432 W
12 V
0.036 一个
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