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april 7, 2005
UL634H256
设备 运作
这 ul634h256 有 二 独立的 模式 的 运作:
sram 模式 和 nonvolatile 模式. 这 记忆 ope-
比率 在 sram 模式 作 一个 标准 快 静态的 内存.
数据 是 transferred 在 nonvolatile 模式 从 sram 至
可擦可编程只读存储器 (这 store 运作) 或者 从 可擦可编程只读存储器 至
sram (这 recall 运作). 在 这个 模式 sram
功能 是 无能.
store 循环 将 是 initiated 下面 用户 控制 通过 一个
软件 sequence 或者 hsb
assertion 和 是 也 自动-
matically initiated 当 这 电源 供应 电压 水平的
的 这 碎片 falls 在下 v
转变
. recall 行动 是
automatically initiated 在之上 电源 向上 和 将 也
出现 当 这 v
CCX
rises 在之上 v
转变
, 之后 一个 低
电源 情况. recall 循环 将 也 是 initiated
用 一个 软件 sequence.
sram 读
这 ul634h256 执行 一个 读 循环 whenever e
和 g是 低 和 hsb和 w是 高. 这
地址 指定 在 管脚 a0 - a14 确定 这个 的
这 32768 数据 字节 将 是 accessed. 当 这
读 是 initiated 用 一个 地址 转变, 这 输出
将 是 有效的 之后 一个 延迟 的 t
cR
. 如果 这 读 是 initiated
用 e
或者 g, 这 输出 将 是 有效的 在 t
一个(e)
或者 在 t
一个(g)
,
whichever 是 后来的. 这 数据 输出 将 repeatedly
respond 至 地址 改变 在里面 这 t
cR
进入 时间
没有 这 需要 为 转变 在 任何 控制 输入 管脚,
和 将 仍然是 有效的 直到 另一 地址 改变 或者
直到 e
或者 g是 brought 高 或者 w或者 hsb是 brought
低.
sram 写
一个 写 循环 是 执行 whenever e
和 w是
低 和 hsb
是 高. 这 地址 输入 必须 是
稳固的 较早的 至 进去 这 写 循环 和 必须
仍然是 稳固的 直到 也 e
或者 w变得 高 在 这 终止
的 这 循环. 这 数据 在 管脚 dq0 - 7 将 是 写
在 这 记忆 如果 它 是 有效的 t
su(d)
在之前 这 终止 的 一个 w
控制 写 或者 t
su(d)
在之前 这 终止 的 一个 econ-
trolled 写.
它 是 推荐 那 g
是 保持 高 在 这 en-
tire 写 循环 至 避免 数据 总线 contention 在 这
一般 i/o 线条. 如果 g
是 left 低, 内部的 电路系统 将
转变 止 这 输出 缓存区 t
dis(w)
之后 w变得 低.
自动 store
在 正常的 运作, 这 ul634h256 将 绘制 cur-
rent 从 v
CCX
至 承担 向上 一个 电容 连接 至
这 v
CAP
管脚. 这个 贮存 承担 将 是 使用 用 这
碎片 至 执行 一个 单独的 store 运作. 如果 这
电压 在 这 v
CCX
管脚 drops 在下 v
转变
, 这 部分
将 automatically disconnect 这 v
CAP
管脚 从 v
CCX
和 initiate 一个 store 运作.
图示 1 显示 这 恰当的 连接 的 电容 为
自动 store 运作. 这 承担 存储 capa-
citor 应当 有 一个 capacity 的 68
µ
f (
±
20 %) 在 6 v.
各自 ul634h256 必须 有 它的 自己的 68
µ
f 电容.
各自 ul634h256 必须 有 一个 高 质量, 高 fre-
quency 绕过 电容 的 0.1
µ
f 连接 在
V
CAP
和 v
SS
, 使用 leads 和 查出 那 是 短的 作
可能. 这个 电容 做 不 替代 这 正常的
预期的 高 频率 绕过 电容 在 这
电源 供应 电压 和 v
SS
.
在 顺序 至 阻止 unneeded store 行动, 自动-
matic stores 作 好 作 那些 initiated 用 externally
驱动 hsb
低 将 是 ignored 除非 在 least 一个
写 运作 有 带去 放置 自从 这 大多数
recent store 循环. 便条 那 如果 hsb
是 驱动 低
通过 外部 电路系统 和 非 写 有 带去 放置,
这 部分 将 安静的 是 无能 直到 hsb
是 允许 至
返回 高. 软件 initiated store 循环 是 每-
formed regardless 的 whether 或者 不 一个 写 opera-
tion 有 带去 放置.
自动 recall
在 电源 向上, 一个 自动 recall takes 放置. 在
一个 低 电源 情况 (电源 供应 电压 < v
转变
)
一个 内部的 recall 要求 将 是 latched. 作 soon
作 电源 供应 电压 超过 这 sense 电压 的
V
转变
, 一个 要求 recall循环 将 automatically
是 initiated 和 将 引领 t
RESTORE
至 完全.
如果 这 ul634h256 是 在 一个 写 状态 在 这 终止 的
电源 向上 recall, 这 sram 数据 将 是 corrupted.
至 帮助 避免 这个 situation, 一个 10 k
Ω
电阻 应当 是
连接 在 w
和 电源 供应 电压.
软件 nonvolatile store
这 ul634h256 软件 controlled store 循环 是
initiated 用 executing sequential 读 循环 从 六
明确的 地址 locations. 用 relying 在 读 循环
仅有的, 这 ul634h256 实现 nonvolatile 运作
当 remaining 兼容 和 标准 32k x 8
srams. 在 这 store 循环, 一个 擦掉 的 这 前-
vious nonvolatile 数据 是 执行 第一, followed 用 一个
并行的 程序编制 的 所有 nonvolatile elements. once
一个 store 循环 是 initiated, 更远 输入 和 输出
是 无能 直到 这 循环 是 完成.
因为 一个 sequence 的 地址 是 使用 为 store
initiation, 它 是 重要的 那 非 其它 读 或者 写
accesses intervene 在 这 sequence 或者 这 sequence
将 是 aborted.
至 initiate 这 store 循环 这 下列的 读
sequence 必须 是 执行:
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