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资料编号:672659
 
资料名称:UM61512ASW-20
 
文件大小: 164.29K
   
说明
 
介绍:
64K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
UM61512A
10
交流 测试 情况
输入 脉冲波 水平 0v 至 3.0v
输入 上升 和 下降 时间 5 ns
输入 和 输出 定时 涉及 水平 1.5v
输出 加载 看 计算数量 1 和 2
+5V
i/o
255
480Ω
30pF*
* 包含 scope 和 jig.
+5V
i/o
255
480Ω
5pF*
* 包含 scope 和 jig.
图示 1.输出 加载 图示 2. 输出 加载 为 tCLZ1,
tCLZ2, tOLZ, tCHZ1, tCHZ2,
tOHZ, tWHZ, 和 tOW
数据 保持 特性
(t
一个
= 0
°
c 至 70
°
c)
标识 参数 最小值 最大值 单位 情况
V
DR1
vcc 为 数据 保持
3 5.25 V
CE1
vcc - 0.2v
CE2
vcc - 0.2v 或者
CE2
0.2v
V
DR2
3 5.25 V
CE2
0.2v
CE1
vcc - 0.2v 或者
CE1
0.2v
I
CCDR1
数据 保持 电流
- 5 毫安 vcc = 3.0v
CE1
vcc - 0.2v
CE2
vcc - 0.2v
V
vcc - 0.2v 或者
V
0.2v
I
CCDR2
- 5 毫安 vcc = 3.0v
CE2
0.2v
CE1
0.2v
V
vcc - 0.2v 或者
V
0.2v
t
CDR
碎片 使不能运转 至 数据 保持
时间
0 - ns
看 保持 波形
t
R
运作 恢复 时间 5 - ms
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