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UMZ12N
二极管
齐纳 二极管
UMZ12N
z
产品
常量 电压 控制
噪音 抑制 在 单独的 线条
z
特性
1) 小 表面 挂载 类型. (umd3)
2) 多样的 二极管 和 一般 anode 配置.
3) 高 可靠性.
z
构建
硅 外延的 planar
z
zz
z
外部 维度
(单位 : mm)
2.1±0.1
1.25±0.1
0.3±0.1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
0.65
6 v
0
∼
0.1
0.15±0.05
0.9±0.1
0.3 0.6
0.1min.
rohm : umd3
eiaj : sc - 70
电子元件工业联合会 : sot - 323
z
电路
z
zz
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识 限制 单位
Tj
Tstg
mW
˚C
˚C
200
150
−
55
∼+
150
电源 消耗
∗
接合面 温度
∗
总的 的 2 elements
存储 温度
P
z
zz
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识 最小值 最大值 单位 情况
V
Z
11.0 13.0 V I
Z
=5mA
I
R
−
0.10
µ
AV
R
=9V
Z
Z
−
30
Ω
I
Z
=5mA
Z
ZK
−
80
Ω
I
Z
=0.5ma
齐纳 电压
反转 电流
运行 阻抗
rising 运行 阻抗

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UMZ12N 二极管齐纳二极管 UMZ12N z 产品常量电压控制噪音抑制在单独的线条 z 特性 1) 小表面挂载类型. (umd3) 2) 多样的二极管和一般 anode 配置. 3) 高可靠性. z 构建硅外延的 planar z zz z 外部维度 (单位 : mm) 2.1±0.1 1.25±0.1 0.3±0.1 2.0±0.2 1.3±0.1 0.65 0.65 6 v 0 ∼ 0.1 0.15±0.05 0.9±0.1 0.3 0.6 0.1min. rohm : umd3 eiaj : sc - 70 电子元件工业联合会 : sot - 323 z 电路 z zz z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 参数标识限制单位 Tj Tstg mW ˚C ˚C 200 150 − 55 ∼+ 150 电源消耗 ∗ 接合面温度 ∗ 总的的 2 elements 存储温度 P z zz z 电的特性 (ta=25 ° c) 参数标识最小值最大值单位情况 V Z 11.0 13.0 V I Z =5mA I R − 0.10 µ AV R =9V Z Z − 30 Ω I Z =5mA Z ZK − 80 Ω I Z =0.5ma 齐纳电压反转电流运行阻抗 rising 运行阻抗

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