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资料编号:673282
资料名称:
UN5219
文件大小: 234.99K
说明
:
介绍
:
Silicon NPN epitaxial planer transistor
: 点此下载
10
11
12
13
14
15
16
17
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
unr521x 序列
14
SJH00024CED
C
ob
V
CB
I
O
V
在
V
在
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
在
V
在
I
O
特性 charts 的 unr521n
I
C
V
CE
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
10
−
1
5
4
3
2
1
11010
2
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
(pf)
集电级-根基 电压 v
CB
(
V
)
f
=
1 mhz
I
E
=
0
T
一个
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.41.21.00.80.6
输出 电流 i
O
(
µ
一个
)
输入 电压 v
在
(v)
V
O
=
5 v
T
一个
=
25
°
C
10
−
2
10
−
1
10
−
1
1
10
10
2
11010
2
输入 电压 v
在
(v)
输出 电流 i
O
(m
一个
)
V
O
=
0.2 v
T
一个
=
25
°
C
0
012
210
48
6
40
120
80
160
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级-发射级 电压 v
CE
(
V
)
T
一个
=
25
°
C
I
B
=
1.0 毫安
0.7 毫安
0.8 毫安
0.9 毫安
0.6 毫安
0.5 毫安
0.4 毫安
0.3 毫安
0.2 毫安
0.1 毫安
10
−
2
1
10
−
1
1
10
10
10
2
10
3
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
I
C
/ i
B
=
10
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
−
25
°
C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
10
2
10
3
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=
10 v
T
一个
=
75
°
C
−
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
10
2
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
(pf)
集电级-根基 电压 v
CB
(
V
)
f
=
1 mhz
I
E
=
0
T
一个
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.41.210.80.6
输出 电流 i
O
(
µ
一个
)
输入 电压 v
在
(v)
V
O
=
5 v
T
一个
=
25
°
C
10
−
2
10
−
1
10
−
1
1
10
10
2
11010
2
输入 电压 v
在
(v)
输出 电流 i
O
(m
一个
)
V
O
=
0.2 v
T
一个
=
25
°
C
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