UPA1456H_集成电路资料查询网

µ
PA1456
2
.
.
.
.
电的  特性  (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 泄漏 电流 I
CBO
10
µ
一个 V
CB
= 100 v, i
E
= 0
发射级 泄漏 电流 I
EBO
10 毫安 V
EB
= 5 v, i
C
= 0
直流 电流 增益 h
FE1
*
2000 7000 20000 — V
CE
= 2 v, i
C
= 2 一个
直流 电流 增益 h
FE2
*
500 3000 — V
CE
= 2 v, i
C
= 4 一个
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)
*
0.9 1.5 V I
C
= 2 一个, i
B
= 2 毫安
根基 饱和 电压 V
是(sat)
*
1.6 2 V I
C
= 2 一个, i
B
= 2 毫安
转变 在 时间 t
在
1
µ
s
存储 时间 t
stg
3
µ
s
下降 时间 t
f
1
µ
s
*
PW
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2 % / 搏动
切换  时间  测试  电路
I
B2
V
在
PW
pw = 50    s
Dut
y 循环
≤
2 %
µ
.
.
V
BB
= –5 v
.
.
I
B1
I
C
t.u.t.
R
L
= 25
Ω
V
CC
= 50 v
.
.
根基 电流
波 表格
集电级
电流
波 表格
I
B1
I
B2
I
C
10 %
90 %
t
在
t
stg
t
f
I
C
= 2 一个
I
B1
= –i
B2
= 2 毫安
V
CC
= 50 v, r
L
= 25
Ω
看 测试 电路

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µ PA1456 2 . . . . 电的特性 (t 一个 = 25 ˚c) 典型的标识最小值典型值最大值单位测试情况集电级泄漏电流 I CBO 10 µ 一个 V CB = 100 v, i E = 0 发射级泄漏电流 I EBO 10 毫安 V EB = 5 v, i C = 0 直流电流增益 h FE1 * 2000 7000 20000 — V CE = 2 v, i C = 2 一个直流电流增益 h FE2 * 500 3000 — V CE = 2 v, i C = 4 一个集电级饱和电压 V ce(sat) * 0.9 1.5 V I C = 2 一个, i B = 2 毫安根基饱和电压 V 是(sat) * 1.6 2 V I C = 2 一个, i B = 2 毫安转变在时间 t 在 1 µ s 存储时间 t stg 3 µ s 下降时间 t f 1 µ s * PW ≤ 350 µ s, 职责循环 ≤ 2 % / 搏动切换时间测试电路 I B2 V 在 PW pw = 50 s Dut y 循环 ≤ 2 % µ . . V BB = –5 v . . I B1 I C t.u.t. R L = 25 Ω V CC = 50 v . . 根基电流波表格集电级电流波表格 I B1 I B2 I C 10 % 90 % t 在 t stg t f I C = 2 一个 I B1 = –i B2 = 2 毫安 V CC = 50 v, r L = 25 Ω 看测试电路

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