rev 0.6 / oct. 2004 10
hy27ss(08/16)121m 序列
hy27us(08/16)121m 序列
512mbit (64mx8bit / 32mx16bit) 与非 flash
数据 输出
数据 输出 总线 行动 是 使用 至读: 这 数据 在 这 记忆 排列, the 状态 寄存器, 这 电子的 signa-
ture 和 这 串行 号码. 数据 是 output 当 碎片 使能 是 低, 写 en能 是 高, 地址 获得 使能 是
低, 和 command 获得 使能 是 低. 这 数据 是输出 sequentially 使用 这 读 使能 信号.
看 图示 24 和 表格 15 为 详细信息 的 这 timings (所需的)东西.
写 保护
写 保护 总线 行动 是 使用 至 保护 这 memory 相反 程序 或者 擦掉 行动. 当 这 写
保护 信号 是 低 这 设备 将 不 接受 程序 或者擦掉 行动 和 所以 这内容 的 这 记忆 排列
不能 是 改变. 这 写 保护 signal 是 不 latched 用 写 使能 至 确保 保护 甚至 在 电源-向上.
备用物品
当 碎片 使能 是 高 这 记忆 enters 备用物品 模式, 这 设备 是 deselected, 输出 是 无能 和 电源
消耗量 是 减少.
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