UTRON
UT6264C
rev. 1.1
8k x 8 位 低 电源 cmos sram
utron 技术 公司 P80028
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based 工业的 park, hsinchu, taiwan, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
4
定时 波形
读 循环
1 (地址 控制)
(1,2,4)
t
RC
地址
DOUT 数据 有效的
t
AA
t
OH
t
OH
读 循环 2
(
1
CE
, ce2 和
OE
控制)
(1,3,5,6)
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OH
t
OLZ
高-z
数据 有效的
高-z
地址
CE1
CE2
OE
Dout
注释 :
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择
OE
,
1
CE
=V
IL
和 ce2=v
ih.
3. 地址 必须 是 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
1
CE
低
和 ce2 高 转变; 否则 t
AA
是 这 限制的 参数.
4.
OE
是 低.
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和 t
OHZ
是 指定 和 c
L
=5pf. 转变 是 量过的
±
500mv 从 稳步的 状态.
6. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
CHZ1
是 较少 比 t
CLZ1
, t
CHZ2
是 较少 比 t
CLZ2
, t
OHZ
是 较少 比 t
olz.