BZX84C7V5ET3_集成电路资料查询网

bzx84c2v4et1 序列
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4
典型 特性
c, 电容 (pf)
100
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 5. 典型 电容
1000
100
10
1
101
偏差 在
50% 的 v
Z
NOM
0 v 偏差
1 v 偏差
12
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
100
10
1
0.1
0.01
1086420
T
一个
= 25
°
C
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
100
10
1
0.1
0.01
10 30 50 70 90
I
R
, 泄漏 电流 ( 一个)
µ
90
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 6. 典型 泄漏 电流
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80706050403020100
+150
°
C
+25
°
C
−55
°
C
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
图示 7. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(v
Z
向上 至 12 v)
图示 8. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(12 v 至 91 v)
100
图示 9. 8
×
20

s 脉冲波 波形
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
020406080
t, 时间 (

s)
t
P
t
r
脉冲波 宽度 (t
P
) 是 定义
作 那 要点 在哪里 这
顶峰 电流 decay = 8

s
half 值 i
RSM
/2 @ 20

s
% 的 顶峰 脉冲波 电流
顶峰 值 i
RSM
@ 8

s
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 25
°
C

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bzx84c2v4et1 序列 http://onsemi.com 4 典型特性 c, 电容 (pf) 100 V Z , 名义上的齐纳电压 (v) 图示 5. 典型电容 1000 100 10 1 101 偏差在 50% 的 v Z NOM 0 v 偏差 1 v 偏差 12 V Z , 齐纳电压 (v) 100 10 1 0.1 0.01 1086420 T 一个 = 25 ° C I Z , 齐纳电流 (毫安) V Z , 齐纳电压 (v) 100 10 1 0.1 0.01 10 30 50 70 90 I R , 泄漏电流 ( 一个) µ 90 V Z , 名义上的齐纳电压 (v) 图示 6. 典型泄漏电流 1000 100 10 1 0.1 0.01 0.001 0.0001 0.00001 80706050403020100 +150 ° C +25 ° C −55 ° C I Z , 齐纳电流 (毫安) 图示 7. 齐纳电压相比齐纳电流 (v Z 向上至 12 v) 图示 8. 齐纳电压相比齐纳电流 (12 v 至 91 v) 100 图示 9. 8 × 20  s 脉冲波波形 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 020406080 t, 时间 (  s) t P t r 脉冲波宽度 (t P ) 是定义作那要点在哪里这顶峰电流 decay = 8  s half 值 i RSM /2 @ 20  s % 的顶峰脉冲波电流顶峰值 i RSM @ 8  s T 一个 = 25 ° C T 一个 = 25 ° C

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