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资料编号:6844
资料名称:
2SC4093-T2
文件大小: 70.01K
说明
:
介绍
:
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
: 点此下载
1
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3
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
2SC4093
典型 特性 (t
一个
= 25
c)
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
200
100
0
10
20
50
100
200
50
1
5
10
500.5
100
150
T
一个
-包围的 温度-
°
C
I
C
-集电级 电流-毫安
I
C
-集电级 电流-毫安
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
P
T
-总的 电源 消耗-mw
h
FE
-直流 电流 增益
V
CE
= 10 v
嵌入 增益 vs.
集电级 电流
|S
21e
|
2
-嵌入 增益-db
0.1
0.5
0.2
1
2
12
51020
V
CB
-集电级 至 根基 电压-v
喂养-后面的 电容 vs.
集电级 至 根基 电压
C
re
-喂养-后面的 电容-pf
f = 1.0 ghz
0
10
20
10.5
2
5
10
20
50
0
10
20
30
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
f-频率-ghz
嵌入 增益, 最大 增益
vs. 频率
G
最大值
-最大 增益-db
|S
21e
|
2
-insetion 增益 -db
V
CE
= 10 v
I
C
= 20 毫安
5
1
0.6
2
10
20
12
5102040
I
C
-集电级 电流-毫安
增益 带宽 produut vs.
集电级 电流
f
T
-增益 带宽 产品-mhz
V
CE
= 10 v
自由 空气
|S
21e
|
2
G
最大值
V
CE
= 10 v
f = 1.0 ghz
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