a29l800 序列
初步的 (九月, 2002, 版本0.2) 22
amic 技术, 公司
直流 特性
cmos 兼容 (t一个=0
°°
c 至 70
°°
c 或者-45
°°
c 至 +85
°°
c)
参数
标识
参数 描述
测试 描述
最小值
典型值
最大值 单位
I
LI
输入 加载 电流
V
在
= vss 至 vcc. vcc = vcc 最大值
±
1.0
µ
一个
I
LIT
A9
Input 加载 电流 vcc = vcc 最大值, a9 =12.5v 35
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流
V
输出
= vss 至 vcc. vcc = vcc 最大值
±
1.0
µ
一个
5 mhz
9 16
CE
= v
IL
,
OE
= v
IH
字节 模式
1 mHz
2 4
5 mhz
9
16
I
CC1
vcc 起作用的 读 电流
(注释 1, 2)
CE
= v
IL
,
OE
= v
IH
文字 模式
1 mhz
2
4
毫安
I
CC2
vcc 起作用的写 (程序/擦掉)
电流 (注释 2, 3, 4)
CE
= v
IL
,
OE
=V
IH
20
30 毫安
I
CC3
vcc standby 电流 (便条 2)
CE
= v
IH
,
重置
=
VCC
±
0.3v
0.2
5
µ
一个
I
CC4
vcc 备用物品 电流 在 重置
(便条 2)
重置
= vss
±
0.3v
0.2 5
µ
一个
I
CC5
自动 睡眠 模式
(便条 2, 4, 5)
V
IH
= vcc
±
0.3v
;
V
IL=
VSS
±
0.3v
0.2 5
µ
一个
V
IL
输入 低 水平的
-0.5
0.8
V
V
IH
输入 高 水平的
0.7 x vcc
vcc + 0.3 V
V
ID
电压 为 autoselect 和
temporary unprotect sector
vcc = 3.3 v
11.5
12.5
V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 4.0ma, vcc = vcc最小值
0.45
V
V
OH1
I
OH
=-2.0 毫安, vcc = vcc 最小值
0.85 x vcc
V
V
OH2
输出 高 电压
I
OH
=-100
µ
一个, vcc = vcc 最小值
VCC-0.4
V
注释:
1.这 i
CC
电流 列表 是 典型地 较少 比 2 毫安/mhz, 和
OE
在 v
IH
. 典型 vcc 是 3.0v.
2.Maximum i
CC
规格 是 测试 和 vcc = vcc 最大值
3.I
CC
起作用的 当 embedded algorithm (程序 或者 擦掉) 是 在 progress.
4.自动 睡眠 模式 使能 这 低 电源 模式 当 地址 仍然是 稳固的 为t
ACC
+ 30ns. 典型 睡眠 模式
电流 是 200n一个.
5.不 100% 测试.
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