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M48t129y, M48T129V
表格 12. Alarm Repeat 模式
RPT4 RPT3 RPT2 RPT1 Alarm 使活动
1 1 1 1 Once 每 第二
1 1 1 0 Once 每 分钟
1 1 0 0 Once 每 小时
1 0 0 0 Once 每 日
1 0 0 0 Once 每 Month
图示 14. 供应 电压 保护
AI02169
V
CC
0.1
µ
F 设备
V
CC
V
SS
这 irq/ft 管脚 是 一个 打开 流 输出 这个 re-
quires 一个 拉-向上 电阻 至 V
CC
为 恰当的 opera-
tion. 一个 500-10k 电阻 是 推荐 在 顺序
至 控制 这 上升 时间. 这 FT 位 是 cleared 在
电源-向上.
电池 低 警告
这 m48t129y/v automatically 执行 电池
电压 monitoring 在之上 电源-向上 和 在 工厂-
编写程序 时间 间隔 的 大概 24
小时. 这 电池 低 (bl) 位, 位 D4 的 Flags
寄存器 1fff0h, 将 是 asserted 如果 这 电池
电压 是 建立 to 是 较少 比 大概
2.5v.
如果 一个 电池 低 是 发生 在 一个 电源-向上 se-
quence, 这个 indicates 那 这 电池 是 在下 ap-
proximately 2.5 伏特 和 将 不 是 能 至
维持 数据 integrity 在 这 sram. 数据 应当
是 考虑 suspect 和 核实 作 准确无误的.
如果 一个 电池 低 indication 是 发生 在 这
24-小时 间隔 审查, 这个 indicates 那 这 bat-
tery 是 near 终止 的 生命. 不管怎样, 数据 是 不 com-
promised 预定的 至 这 事实 那 一个 名义上的 V
CC
是
有提供的.
这 m48t129y/v 仅有的 monitors 这 电池 当
一个 名义上的 V
CC
是 应用 至 这 设备. 因此 appli-
cations 这个 需要 extensive durations 在 这
电池 后面的-向上 模式 应当 是 powered-向上 peri-
odically (在 least once 每 few months) 在 顺序
为 这个 技巧 至 是 beneficial. additionally, 如果 一个
电池 低 是 表明, 数据 integrity 应当 是
核实 在之上 电源-向上 通过 一个 checksum 或者 其它
技巧.
电源-在 DEFAULTS
在之上 应用 的 电源 至 这 设备, 这 fol-
lowing 寄存器 位 是 设置 至 一个 ’0’ 状态: wds,
bmb0-bmb4, rb0,rb1, afe, abe, w, R 和 ft.
电源 供应 解耦
和 UNDERSHOOT 保护
I
CC
过往旅客, 包含 那些 生产 用 输出
切换, 能 生产 电压 fluctuations, re-
sulting 在 尖刺 在 这 V
CC
总线. 这些 过往旅客
能 是 减少 如果 电容 是 使用 至 store en-
ergy, 这个 stabilizes 这 V
CC
总线. 这 活力
贮存 在 这 绕过 电容 将 是 released 作
低 going 尖刺 是 发生 或者 活力 将 是
absorbed 当 overshoots 出现. 一个 陶瓷的 用-
通过 电容 值 的 0.1
µ
F (看 图示 14) 是
推荐 在 顺序 至 提供 这 需要 fil-
tering. 在 增加 至 过往旅客 那 是 造成 用
正常的 SRAM 运作, 电源 cycling 能 gener-
ate 负的 电压 尖刺 在 V
CC
那 驱动 它 至
值 在下 V
SS
用 作 更 作 一个 volt. 这些
负的 尖刺 能 导致 数据 corruption 在 这
SRAM 当 在 电池 backup 模式. 至 保护
从 这些 电压 尖刺, ST 推荐 con-
necting 一个 肖特基 二极管 从 V
CC
至 V
SS
(cathode
连接 至 V
CC
, anode 至 V
SS
). (肖特基 二极管
1N5817 是 推荐 为 通过 孔 和
MBRS120T3 是 推荐 为 表面 挂载).
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