sn54lvc541a, sn74lvc541a
octal 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
scas298h – january 1993 – 修订 六月 1998
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
EPIC
(增强-效能 implanted
cmos) submicron 处理
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
< 0.8 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
典型 v
OHV
(输出 v
OH
undershoot)
> 2 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
电源 止 使不能运转 输出, permitting
live 嵌入
D
支持 mixed-模式 信号 运作 在
所有 端口 (5-v 输入/输出 电压 和
3.3-v v
CC
)
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
D
获得-向上 效能 超过 250 毫安 每
jesd 17
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (dw), shrink 小-外形
(db), 薄的 shrink 小-外形 (pw), 和
陶瓷的 flat (w) 包装, 陶瓷的 碎片
carriers (fk), 和 dips (j)
描述
这 sn54lvc541a octal 缓存区/驱动器 是 设计
为 2.7-v 至 3.6-v v
CC
运作 和 这
sn74lvc541a octal 缓存区/驱动器 是 设计 为
1.65-v 至 3.6-v v
CC
运作.
这 ’lvc541a 设备 是 完美的 为 驱动 总线
线条 或者 buffering 记忆 地址 寄存器.
这些 设备 特性 输入 和 输出 在 opposite sides 的 这 包装 至 facilitate 打印 电路 板
布局.
这 3-状态 控制 门 是 一个 2-输入 和 门 和 起作用的-低 输入 所以 那 如果 也 输出 使能 (oe1
或者 oe2)
输入 是 高, 所有 第八 输出 是 在 这 高-阻抗 状态.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
输入 能 是 驱动 从 也 3.3-v 或者 5-v 设备. 这个 特性 准许 这 使用 的 这些 设备 作 翻译
在 一个 mixed 3.3-v/5-v 系统 环境.
这 sn54lvc541a 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c.
这 sn74lvc541a 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
版权
1998, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
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地
V
CC
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Y8
SN54LVC541A ...j 或者 w pACKAGE
SN74LVC541A . . . db, dw, 或者 pw 包装
(顶 视图)
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SN54LVC541A . . . fk 包装
(顶 视图)
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OE1
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Y6 OE2
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地
Y8
V
CC
在 产品 一致的 至 mil-prf-38535, 所有 参数 是 测试
除非 否则 指出. 在 所有 其它 产品, 生产
处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有 参数.