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资料编号:696027
 
资料名称:VP2110K1
 
文件大小: 456.67K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
90%
10%
90%
90%
10%
10%
脉冲波
发生器
V
DD
R
L
输出
d.u.t.
t
(在)
t
d(在)
t
(止)
t
d(止)
t
F
t
r
输入
输入
输出
0V
V
DD
R
gen
0V
-10v
vp2106/vp2110
切换 波形 和 测试 电路
包装 I
D
(持续的)* I
D
(搏动) 电源 消耗
θ
jc
θ
ja
I
DR
*I
DRM
@ t
一个
= 25
°
C
°
c/w
°
c/w
至-236ab -120ma -400ma 0.36w 200 350 -120ma -400ma
至-92 -0.25a -0.8a 0.74w 125 170 -0.25a -0.8a
*
I
D
(持续的) 是 限制 用 最大值 评估 t
j
.
热的 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
VP2110 -100
VP2106 -60
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.5 -3.5 V V
GS
= v
DS
, i
D
= -1.0ma
V
gs(th)
改变 在 v
gs(th)
和 温度 5.8 6.5 mv/
°
CI
D
= -1.0ma, v
GS
= v
DS
I
GSS
门 身体 泄漏 -1.0 -100 nA V
GS
=
±
20v, v
DS
= 0v
I
DSS
零 门 电压 流 电流 -10
µ
AV
GS
= 0v, v
DS
= 最大值 比率
V
GS
= 0v, v
DS
= 0.8 最大值 比率
T
一个
= 125
°
C
I
d(在)
GS
= -10v, v
DS
= -25v
R
ds(在)
11 15 V
GS
= -5v, i
D
= -0.1a
9.0 12 V
GS
= -10v, i
D
= -0.5a
R
ds(在)
ds(在)
和 温度 0.55 1.0 %/
°
CV
GS
= -10v, i
D
= -0.5a
G
FS
向前 跨导 150 200 m V
DS
= -25v, i
D
= -0.5a
C
ISS
输入 电容 45 60
C
OSS
一般 源 输出 电容 22 30 pF
C
RSS
反转 转移 电容 3 8
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 4 5
t
r
上升 时间 5 8
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 5 9
t
f
下降 时间 4 8
V
SD
二极管 向前 电压 漏出 -1.2 -2.0 V I
SD
= -0.5a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 400 ns I
SD
= -0.5a, v
GS
= 0v
注释:
1.所有 d.c. 参数 100% 测试 在 25
°
c 除非 否则 陈述. (脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波, 2% 职责 循环.)
2.所有 一个.c. 参数 样本 测试.
BV
DSS
流-至-源
损坏 电压
电的 特性
(@ 25
°
c 除非 否则 指定)
VI
D
= -1.0ma, v
GS
= 0v
-1 毫安
静态的 流-至-源
在-状态 阻抗
V
GS
= 0v, v
DS
= -25v
f = 1 mhz
V
DD
= -25v
ns I
D
= -0.5a
R
GEN
= 25
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