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资料编号:696027
 
资料名称:VP2110K1
 
文件大小: 456.67K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


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3
Typical 效能 曲线
vp2106/vp2110
输出 特性
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
饱和 特性
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0
最大 评估 safe 运行 范围
-0.1 -100-10-1.0
-0.01
-0.1
-1.0
-0.001
热的 回馈 特性
热的 阻抗 (normalized)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001 100.01 0.1 1.0
跨导 vs. 流 电流
电源 消耗 vs. 包围的 温度
0 15010050
1.0
0.5
0
1257525
至-236ab
V
DS
= 25v
至-236ab (直流)
至-236ab (搏动)
至-92 (直流)
0 -10 -20 -30 -50-40
0-2-4-6 -10-8
至-92 (搏动)
250
200
150
100
50
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -1.0-0.8
-7v
-6v
-5v
-4v
-3v
-8v
-9v
-7v
-6v
-5v
-4v
-8v
-9v
T
一个
= 25
°
C
至-236ab
P
D
= 0.36w
T
一个
= 25
°
C
至-92
P
D
= 1.0w
T
一个
= 25
°
C
至-92
V
GS
= -10v
V
DS
(伏特)
I
D
(amperes)
I
D
(amperes)
V
DS
(伏特)
V
GS
= -10v
G
FS
(millisiemens)
I
D
(amperes) T
一个
(
°
c)
P
D
(watts)
T
一个
= 125
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= -55
°
C
V
DS
(伏特)
I
D
(amperes)
t
p
(秒)
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