VT82C586B
修订 1.0
将 13, 1997 -
14- 寄存器 overview
R
EGISTERS
寄存器 overview
这 下列的 tables summarize 这 配置 和 i/o
寄存器 的 这 vt82c586b. 这些 tables 也 文档 这
电源-在 default 值 (“default”) 和 进入 类型 (“acc”) 为
各自 寄存器. 进入 类型 定义 使用 是 rw
(读/写), ro (读/仅有的), “—” 为 保留 / 使用
(essentially 这 一样 作 ro), 和 rwc (或者 just wc) (read /
写 1’s 至 clear 单独的 位). 寄存器 表明 作 rw
将 有 一些 读/仅有的 位 那 总是 读 后面的 一个 fixed
值 (通常地 0 如果 unused); 寄存器 designated 作 rwc 或者
wc 将 有 一些 读-仅有的 或者 读 写 位 (看 单独的
寄存器 描述 为 详细信息).
详细地 寄存器 描述 是 提供 在 这 下列的
部分 的 这个 文档. 所有 补偿 和 default 值 是
显示 在 hexadecimal 除非 否则 表明
表格 2. 系统 i/o 编排
端口 函数 真实的 端口 解码
00-1f 主控 dma 控制 0000 0000 000x nnnn
20-3f 主控 中断 控制 0000 0000 001x xxxn
40-5f 计时器 / 计数器 0000 0000 010x xxnn
60-6f 键盘 控制 0000 0000 0110 xnxn
(60h) kbc 数据 0000 0000 0110 x0x0
(61h) misc 功能 &放大; spkr ctrl 0000 0000 0110 xxx1
(64h) kbc command / 状态 0000 0000 0110 x1x0
70-77 rtc/cmos/nmi-使不能运转 0000 0000 0111 0nnn
78-7f -有 为 系统 使用- 0000 0000 0111 1xxx
80 -保留- (debug 端口) 0000 0000 1000 0000
81-8f dma 页 寄存器 0000 0000 1000 nnnn
90-91 -有 为 系统 使用- 0000 0000 1001 000x
92 系统 控制 0000 0000 1001 0010
93-9f -有 为 系统 使用- 0000 0000 1001 nnnn
a0-bf 从动装置 中断 控制 0000 0000 101x xxxn
c0-df 从动装置 dma 控制 0000 0000 110n nnnx
e0-ff -有 为 系统 使用- 0000 0000 111x xxxx
100-cf7 -有 为 系统 使用-
cf8-cfb pci 配置 地址 0000 1100 1111 10xx
cfc-cff pci 配置 数据 0000 1100 1111 11xx
d00-ffff -有 为 系统 使用-
表格 3. 寄存器
legacy i/o 寄存器
端口 主控 dma 控制 寄存器 Default Acc
00 频道 0 根基 &放大; 电流 地址 RW
01 频道 0 根基 &放大; 电流 计数 RW
02 频道 1 根基 &放大; 电流 地址 RW
03 频道 1 根基 &放大; 电流 计数 RW
04 频道 2 根基 &放大; 电流 地址 RW
05 频道 2 根基 &放大; 电流 计数 RW
06 频道 3 根基 &放大; 电流 地址 RW
07 频道 3 根基 &放大; 电流 计数 RW
08 状态 / command RW
09 写 要求
WO
0A 写 单独的 掩饰
WO
0B 写 模式
WO
0C clear 字节 pointer ff
WO
0D 主控 clear
WO
0E clear 掩饰
WO
0F 读 / 写 掩饰 RW
端口 主控 中断 控制 regs Default Acc
20 主控 中断 控制 — *
21 主控 中断 掩饰 — *
20 主控 中断 控制 shadow —
RW
21 主控 中断 掩饰 shadow —
RW
* rw 如果 shadow 寄存器 是 无能
端口
计时器/计数器 寄存器 Default Acc
40 计时器 / 计数器 0 计数 RW
41 计时器 / 计数器 1 计数 RW
42 计时器 / 计数器 2 计数 RW
43 计时器 / 计数器 控制
WO
端口 键盘 控制 寄存器 Default Acc
60 键盘 控制 数据 RW
61 misc 功能 &放大; 扬声器 控制 RW
64 键盘 ctrlr command / 状态 RW
端口 cmos / rtc / nmi 寄存器 Default Acc
70 cmos 记忆 地址 &放大; nmi disa
WO
71 cmos 记忆 数据 (128 字节) RW
72 cmos 记忆 地址 RW
73 cmos 记忆 数据 (256 字节) RW
74 cmos 记忆 地址 RW
75 cmos 记忆 数据 (256 字节) RW
nmi 使不能运转 是 端口 70h (cmos 记忆 地址) 位-7.
rtc 控制 occurs 通过 明确的 cmos 数据 locations (0-0dh).
端口 72-73 将 是 使用 至 进入 所有 256 locations 的 cmos.
端口 74-75 将 是 使用 至 进入 cmos 如果 这 内部的 rtc 是
无能.
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