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资料编号:701779
 
资料名称:W24L011AQ-10
 
文件大小: 131.15K
   
说明
 
介绍:
128K X 8 High Speed CMOS Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W24L011A
-2-
真实 表格
CS
OE
我们
模式
i/o1
i/o8
VDD电流
H X X 不 选择 高 z ISB, iSB1
L H H 输出放 使不能运转 高 z IDD
L L H 数据 输出 IDD
L X L 数据 在 IDD
直流 特性
一个bsolute 最大 比率
参数 比率 单位
供应 电压 至 vSS潜在的 -0.5 至 +4.6 V
输入/输出 至 vSS潜在的 -0.5 至 vDD+0.5 V
容许的 电源 dissipation 1.0 W
存储 温度 -65 至 +150
°
C
运行 温度 0 至 +70
°
C
便条: 暴露 至 情况 在之外 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性
的 这 设备.
运行 特性
(vDD= 3.3v
±
5%, vSS= 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 sym. 测试 情况 最小值
典型值
最大值
单位
输入 低 电压 VIL
- -0.5 - 0.8 V
输入 高 电压 VIIH
- +2.0 - VDD+0.5 V
输入 泄漏 电流
ILI
V= vSS至 vDD -10 - +10
µ
一个
输出 泄漏
Current
ILO
Vi/o= vSS至 vDD, CS = vIH(最小值.) 或者
OE = vIH(最小值.) 或者 我们 = vIL(最大值.)
-10
-
+10
µ
一个
输出 低 电压 VOL
IOL= +8.0 毫安 - - 0.4 V
输出 高 电压 VOH
IOH=-4.0 毫安 2.4 - - V
Operating 电源 IDD
CS = vIL(最大值.), i/o = 0 毫安
10
-
- 130
供应 电流
循环 = mim., 职责 = 100% 12 - - 120 毫安
15 - - 100
备用物品 电源 ISB
CS = vIH(最小值.)
-
- 15
毫安
供应 电流
ISB1
CS
VDD-0.2v
-
- 5
毫安
便条: 典型 特性 是 在 vDD= 3.3v, t一个= 25
°
c.
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