W27E512
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函数的 descripti在
读 模式
像 常规的 uveproms, 这 w27e512 有 二 控制 功能, 两个都 的 这个 生产 数据
在 这 输出.
CE
是 为 电源 控制 和 碎片 选择.
OE
/v
PP
控制 这 输出 缓存区 至 门 数据
至 这输出 管脚. 当 地址 是 稳固的, 这 地址 进入 时间 (t
ACC
) 是 equal 至 这 延迟
从
CE
至 输出 (t
CE
), 和 数据 是 有 在 这 输出 t
OE
之后 这 下落 边缘 的
OE
/v
PP
,
如果 t
ACC
和 t
CE
timings是 符合.
擦掉 模式
这 擦掉 运作 是 这 仅有的 方法 至 改变 数据 从 "0" 至 "1." 不像 常规的 uveproms,
这个 使用 ultraviolet 明亮的 至 擦掉 这 内容 的 这 全部 碎片 (一个 程序 那 需要 向上 至 half
一个 小时), 这 w27e512 使用 electrical erasure. 一般地, 这 碎片 能 是 erased 在里面 100 ms 用
使用 一个 非易失存储器 writer 和 一个 特定的 擦掉 algorithm.
擦掉 模式 是 entered 当
OE
/v
PP
是 raised 至 v
PE
(14v), v
CC
= v
CE
(5v), a9 = v
PE
(14v), a0
低, 和 所有 其它 地址ess 管脚 低 和 数据 输入 管脚 高. pulsing
CE
低 开始 这 擦掉
运作.
擦掉 核实 模式
之后 一个 擦掉 运作, 所有 的 这 字节 在 这 碎片 必须 是 核实 至 审查 whether 它们 有 被
successfully erased 至 "1" 或者 不. 这 擦掉 核实 模式 确保 一个 substantial 擦掉 余裕 如果 v
CC
=
V
CE
(3.75v),
CE
低, 和
OE
/v
PP
低.
程序 模式
程序编制 是 执行 exactly 作 它 是 在 常规的 uveproms, 和 程序编制 是 这 仅有的
方法至 改变 cell 数据 从 "1" 至 "0." 这 程序 模式 是 entered 当
OE
/v
PP
是 raised 至 v
PP
(12v), v
CC
= v
CP
(5v), 这 地址 管脚 equal 这 desired 地址, 和 这 输入 管脚 equal 这
desired 输入. pulsing
CE
低 开始 这 程序编制 运作.
程序 核实 模式
所有 的 这 字节 在 这 碎片 必须 是 核实 至 审查 whether 它们 有 被 successfully
编写程序 和 这 desired 数据 或者 不. hence, 之后 各自 字节 是 编写程序, 一个 程序 核实
运作应当 是 执行. 这 程序 核实 模式 automatically 确保 一个 substantial
程序 余裕. 这个 模式 将 是 entered 之后 这 程序 运作 如果
OE
/v
PP
低
和
CE
低.
擦掉/程序 inhibit
擦掉 或者 程序 在hibit 模式 准许 并行的 erasing 或者 程序编制 的 多样的 碎片 和 不同的
数据. 当
CE
高, erasing 或者 程序编制 的 非-目标 碎片 是 inhibited, 所以 那 除了 为 这
CE
和
OE
/v
PP
pins, 这 w27e512 将 有 一般 输入.