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资料编号:703845
 
资料名称:W39V040FBPZ
 
文件大小: 365.82K
   
说明
 
介绍:
512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W39V040FB
发行 释放 日期: april 14, 2005
- 17 - 修订 a3
10. 电的 特性
10.1 绝对 最大 比率
参数 比率 单位
运行 温度 0 至 +70
°
C
存储 温度 -65 至 +150
°
C
电源 供应 电压 至 v
SS
潜在的 -0.5 至 +4.0 V
d.c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 -0.5 至 v
DD
+0.5 V
V
PP
电压 -0.5 至 +13 v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 -1.0 至 v
DD
+0.5 V
便条:
暴露 至 情况 在之外 那些 列表 下面 绝对 maximum 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性
的 这 设备.
10.2 programmer 接口 模式 直流 运行 特性
(v
DD
= 3.3v
±
0.3v, v
SS
= 0v, t
一个
= 0 至 70
°
c)
限制
参数 sym. 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
电源 供应
电流
I
CC
在 读 或者 写 模式, 所有 dqs 打开
地址 输入 = 3.0v/0v, 在 f = 3 mhz
- 15 30
毫安
输入 泄漏
电流
I
LI
V
= v
SS
至 v
DD
- - 90
µ
一个
输出 泄漏
电流
I
LO
V
输出
= v
SS
至 v
DD
- - 90
µ
一个
输入 低 电压 V
IL
- -0.5 - 0.8 v
输入 高 电压 V
IH
- 2.0 - v
DD
+0.5 V
输出 低 电压 V
OL
I
OL
= 2.1 毫安 - - 0.45 V
输出 高 电压 V
OH
I
OH
= -0.1ma 2.4 - - V
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