W39V040FB
发行 释放 日期: april 14, 2005
- 3 - 修订 a3
1. 一般 描述
这 w39v040fb 是 一个 4-megabit, 3.3-volt 仅有的 cmos flash 记忆 有组织的 作 512k
×
8 位. 为
有伸缩性的 擦掉 能力, 这 4mbits 的 数据 是 divided 在 8 uniform sectors 的 64 kbytes. 这 设备
能 是 编写程序 和 erased 在-系统 和 一个 标准 3.3v 电源 供应. 一个 12-volt vpp 是
必需的 为 accelerated 程序. 这 唯一的 cell architecture 的 这 w39v040fb 结果 在 快
程序/擦掉 行动 和 极其 低 电流 消耗量. 这个 设备 能 运作 在 二
模式, programmer 总线 接口 模式, firmware hub (fwh) 总线 接口 模式. 作 在 这
programmer 接口 模式, 它 acts 像 这 传统的 flash 但是 和 一个 多路复用 地址 输入. 但是
在 这 fwh 接口 模式, 这个 de恶行 遵守 和 这 intel fwh 规格. 这 设备 能 也
是 编写程序 和 erased 使用 标准 非易失存储器 programmers.
2. 特性
•
单独的 3.3-volt 行动:
−
3.3-volt 读
−
3.3-volt 擦掉
−
3.3-volt 程序
•
快 程序 运作:
−
字节-用-字节 程序编制: 9
µ
s (典型值.)
(v
PP
= 12v)
−
字节-用-字节 程序编制: 12
µ
s (典型值.)
(v
PP
= vcc)
•
快 擦掉 运作:
−
sector 擦掉 0.6 秒. (典型值.)
•
快 读 进入 时间: tkq 11 ns
•
忍耐力: 10k 循环 (典型值.)
•
twenty-年 数据 保持
•
8 甚至 sectors 和 64k 字节
•
任何 单独的 sector 能 是 erased
•
硬件 保护:
−
#tbl 支持 64-kbyte 激励 块
硬件 保护
−
#wp 支持 这 全部的 碎片 除了 激励
块 硬件 保护
•
低 电源 消耗量
−
起作用的 电流: 15 毫安 (典型值. 为 fwh 读
模式)
•
自动 程序 和 擦掉 定时 和
内部的 v
PP
一代
•
终止 的 程序 或者 擦掉 发现
−
toggle 位
−
数据 polling
•
latched 地址 和 数据
•
ttl 兼容 i/o
•
有 包装: 32l plcc, 32l stsop
32l plcc 含铅的 自由, 32l stsop 含铅的 自由
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