m29w400bt, M29W400BB
2/25
图示 2. TSOP 连接
DQ3
DQ9
DQ2
A6
DQ0
W
A3
RB
DQ6
A8
A9
DQ13
A17
A10 DQ14
A2
DQ12
DQ10
DQ15A–1
V
CC
DQ4
DQ5
A7
DQ7
NC
NC
AI02935
M29W400BT
M29W400BB
12
1
13
24 25
36
37
48
DQ8
NC
NC
A1
NC
A4
A5
DQ1
DQ11
G
A12
A13
A16
A11
字节
A15
A14
V
SS
E
A0
RP
V
SS
图示 3. 所以 连接
G
DQ0
DQ8
A3
A0
E
V
SS
A2
A1
A13
V
SS
A14
A15
DQ7
A12
A16
字节
DQ15A–1
DQ5DQ2
DQ3
V
CC
DQ11
DQ4
DQ14
A9
WRB
A4
NC RP
A7
AI02936
M29W400BT
M29W400BB
8
2
3
4
5
6
7
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
2322
20
19
18
17DQ1
DQ9
A6
A5
DQ6
DQ13
44
39
38
37
36
35
34
33
A11
A10
DQ10
21
DQ12
40
43
1
42
41
A17 A8
表格 1. 信号 Names
a0-a17 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入/输出
dq8-dq14 数据 输入/输出
DQ15A–1 数据 输入/输出 或者 地址 输入
E
碎片 使能
G
输出 使能
W
写 使能
RP
重置/块 Temporary Unprotect
RB
准备好/busy 输出
字节
字节/文字 Organization 选择
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
SUMMARY 描述
这 M29W400B 是 一个 4 Mbit (512kb x8 或者 256Kb
x16) 非-易变的 记忆 那 能 是 读, erased
和 reprogrammed. 这些 行动 能 是 每-
formed 使用 一个 单独的 低 电压 (2.7 至 3.6v)
供应. 在 电源-向上 这 记忆 defaults 至 它的
读 模式 在哪里 它 能 是 读 在 这 一样 方法
作 一个 只读存储器 或者 非易失存储器. 这 M29W400B 是 全部地
backward 兼容 和 这 m29w400.
这 记忆 是 分隔 在 blocks 那 能 是
erased independently 所以 它 是 可能 至 preserve
有效的 数据 当 old 数据 是 erased. 各自 块 能
是 保护 independently 至 阻止 意外的
程序 或者 擦掉 commands 从 modifying 这
记忆. 程序 和 擦掉 commands 是 writ-
ten 至 这 Command 接口 的 这 记忆. 一个
在-碎片 程序/擦掉 控制 使简化 这
处理 的 程序编制 或者 erasing 这 记忆 用
带去 小心 的 所有 的 这 特定的 行动 那 是
必需的 至 更新 这 记忆 内容. 这 终止
的 一个 程序 或者 擦掉 运作 能 是 发现
和 任何 错误 情况 identified. 这 command
设置 必需的 至 控制 这 记忆 是 consistent
和 电子元件工业联合会 standards.
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