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AT89C55WD
1921B
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微观的
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09/02
程序
记忆 锁
位
这 AT89C55WD 有 三 锁 位 那 能 是 left unprogrammed (u) 或者 能 是 pro-
grammed (p) 至 获得 这 额外的 特性 列表 在 这 下列的 表格.
当 锁 位 1 是 编写程序, 这 逻辑 水平的 在 这 EA
管脚 是 抽样 和 latched 在
重置. 如果 这 设备 是 powered 向上 没有 一个 重置, 这 获得 initializes 至 一个 随机的 值 和
holds 那 值 直到 重置 是 使活动. 这 latched 值 的 EA
必须 同意 和 这 电流
逻辑 水平的 在 那 管脚 在 顺序 为 这 设备 至 函数 合适的.
程序编制
这 Flash
这 AT89C55WD 是 运输 和 这 在-碎片 Flash 记忆 排列 准备好 至 是 编写程序.
这 程序编制 接口 needs 一个 高-电压 (12-volt) 程序 使能 信号 和 是 com-
patible 和 常规的 第三-群 Flash 或者 非易失存储器 programmers.
这 AT89C55WD 代号 记忆 排列 是 编写程序 字节-用-字节.
程序编制 algorithm:
在之前 程序编制 这 at89c55wd, 这 地址, 数据, 和
控制 信号 应当 是 设置 向上 符合 至 这 Flash 程序编制 模式 表格 和 计算数量
13 和 14. 至 程序 这 at89c55wd, 引领 这 下列的 步伐:
1. 输入 这 desired 记忆 location 在 这 地址 线条.
2. 输入 这 适合的 数据 字节 在 这 数据 线条.
3. 活动 这 准确无误的 结合体 的 控制 信号.
4. Raise EA
/v
PP
至 12v.
5. 脉冲波 ale/prog
oncetoprogramabyteintheflasharrayorthelockbits.thebyte-
写 循环 是 自-安排时间 和 典型地 takes 非 更多 比 50 µs. Repeat 步伐 1
通过 5, changing 这 地址 和 数据 为 这 全部 排列 或者 直到 这 终止 的 这
物体 文件 是 reached.
碎片 擦掉 Sequence
: 在之前 这 AT89C55WD 能 是 reprogrammed, 一个 碎片 擦掉 opera-
tion needs 至 是 执行. 至 擦掉 这 内容 的 这 at89c55wd, follow 这个 sequence:
1. Raise V
CC
至 6.5v.
2. 脉冲波 ale/prog
once (持续时间 的 200 - 500 ns).
3. Wait 为 150 ms.
4. 电源 V
CC
向下 和 向上 至 6.5v.
5. 脉冲波 ale/prog
once (持续时间 的 200 - 500 ns).
6. Wait 为 150 ms.
7. 电源 V
CC
向下 和 向上 至 6.5v.
数据
polling:
这 AT89C55WD 特性 数据 Polling 至 表明 这 终止 的 一个 写 循环. dur-
ing 一个 写 循环, 一个 attempted 读 的 这 last 字节 写 将 结果 在 这 complement 的 这
写 数据 在 p0.7. Once 这 写 循环 有 被 完成, 真实 数据 是 有效的 在 所有 输出-
Table 9.
锁 位 保护 模式
程序 锁 位
保护 类型LB1 LB2 LB3
1 U U U 非 程序 锁 特性.
2PUU
MOVC 说明 executed 从 外部 程序 记忆 是
无能 从 fetching 代号 字节 从 内部的 记忆, EA
是
抽样 和 latched 在 重置, 和 更远 程序编制 的 这 Flash
memory 是 无能.
3 P P U 一样 作 模式 2, 但是 核实 是 也 无能.
4 P P P 一样 作 模式 3, 但是 外部 执行 是 也 无能.
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