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资料编号:714299
 
资料名称:S29WS064N0SBFW111
 
文件大小: 1091.58K
   
说明
 
介绍:
256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
january 25, 2005 s29ws-n_00_g0
s29ws-n mirrorbit™ flash 家族 11
进步 信息
4.2.1 vbh084—84-球 fine-程度球 grid 排列, 8 x 11.6 mm
便条:
bsc 是 一个 ansi 标准 为 基本 空间 centering
图示 4.2. vbh084—84-球 fine-程度 球 grid 排列 (fbga) 8 x 11.6 mm mcp 兼容 包装
3339 \ 16-038.25b
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 asme y14.5m-1994.
2. 所有 维度 是 在 毫米.
3. 球 位置 designation 每 jesd 95-1, spp-010 (除了
作 指出).
4. e 代表 这 焊盘 球 grid 程度.
5. 标识 "md" 是 这 球 行 矩阵变换 大小 在 这
"d" 方向.
标识 "me" 是 这 球 column 矩阵变换 大小 在 这
"e" 方向.
n 是 这 总的 号码 的 焊盘 balls.
6 维度 "b" 是 量过的 在 这 最大 球
直径 在 一个 平面 并行的 至 datum c.
7 sd 和 se 是 量过的 和 遵守 至 datums
一个 和 b 和 定义 这 位置 的 这 中心
焊盘 球 在 这 outer 行.
当 那里 是 一个 odd 号码 的 焊盘 balls 在
这 outer 行 并行的 至 这 d 或者 e 维度,
各自, sd 或者 se = 0.000.
当 那里 是 一个 甚至 号码 的 焊盘 balls 在
这 outer 行, sd 或者 se = e/2
8. 不 使用.
9. "+" indicates 这 theoretical 中心 的 depopulated
balls.
10 a1 corner 至 是 identified 用 chamfer, 激光器 或者 ink
mark, metallized mark indentation 或者 其它 意思.
包装 vbh 084
电子元件工业联合会 n/一个
11.60 mm x 8.00 mm nom
包装
标识 最小值 NOM 最大值 便条
一个 --- --- 1.00 整体的 厚度
A1 0.18 --- --- 球 height
A2 0.62 --- 0.76 身体 厚度
D 11.60 bsc. 身体 大小
E 8.00 bsc. 身体 大小
D1 8.80 bsc. 球 footprint
E1 7.20 bsc. 球 footprint
MD 12 行 矩阵变换 大小 d 方向
ME 10 行 矩阵变换 大小 e 方向
N 84 总的 球 计数
φ
b 0.33 --- 0.43 球 直径
e 0.80 bsc. 球 程度
sd / se 0.40 bsc. 焊盘 球 placement
(a2-a9, b10-l10, depopulated 焊盘 balls
m2-m9, b1-l1)
bottom 视图
顶 视图
一侧 视图
a1 corner
A2
一个
10
9
10
ML JK
e
c0.05
(2x)
(2x)
c0.05
A1
E
D
7
BACEDFHG
8
7
6
5
4
3
2
1
e
D1
E1
SE
7
BCA
C
M
φ
0.15
φ
0.08
M
6
0.10 C
c0.08
NX
φ
b
SD
一个
B
C
seating 平面
a1 corner
index mark
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