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资料编号:714299
 
资料名称:S29WS064N0SBFW111
 
文件大小: 1091.58K
   
说明
 
介绍:
256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
 
 


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january 25, 2005 s29ws-n_00_g0
s29ws-n mirrorbit™ flash 家族 13
进步 信息
4.2.2 tlc080—80-球 fine-程度球 grid 排列, 7 x 9 mm
便条:
bsc 是 一个 ansi 标准 为 基本 空间 centering
图示 4.4. tlc080—80-球 fine-程度 球 grid 排列(fbga) 7 x 9 mm mcp 兼容 包装
3430 \ 16-038.22 \ 10.15.04
包装 tlc 080
电子元件工业联合会 n/一个
d x e 9.00 mm x 7.00 mm
包装
标识 最小值 NOM 最大值 便条
一个 --- --- 1.20 PROFILE
A1 0.17 --- --- 球 height
A2 0.81 --- 0.97 身体 厚度
D 9.00 bsc. 身体 大小
E 7.00 bsc. 身体 大小
D1 7.20 bsc. 矩阵变换 footprint
E1 5.60 bsc. 矩阵变换 footprint
MD 10 矩阵变换 大小 d 方向
ME 8 矩阵变换 大小 e 方向
n 80 球 计数
φ
b 0.35 0.40 0.45 球 直径
eE 0.80 bsc. 球 程度
eD 0.80 bsc 球 程度
sd / se 0.40 bsc. 焊盘 球 placement
depopulated 焊盘 balls
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 方法 每
asme y14.5m-1994.
2. 所有 维度 是 在 毫米.
3. 球 位置 designation 每 jesd 95-1, spp-010.
4. e 代表 这 焊盘 球 grid 程度.
5. 标识 "md" 是 这 球 矩阵变换 大小 在 这 "d"
方向.
标识 "me" 是 这 球 矩阵变换 大小 在 这
"e" 方向.
n 是 这 号码 的 populted 焊盘 球 positions
为 矩阵变换 大小 md x me.
6 维度 "b" 是 量过的 在 这 最大 球
直径 在 一个 平面 并行的 至 datum c.
7 sd 和 se 是 量过的 和 遵守 至 datums 一个
和 b 和 定义 这 位置 的 这 中心 焊盘
球 在 这 outer 行.
当 那里 是 一个 odd 号码 的 焊盘 balls 在 这
outer 行 sd 或者 se = 0.000.
当 那里 是 一个 甚至 号码 的 焊盘 balls 在 这
outer 行, sd 或者 se = e/2
8. "+" indicates 这 theoretical 中心 的 depopulated
balls.
9. n/一个
10 a1 corner 至 是 identified 用 chamfer, 激光器 或者 ink
mark, metallized mark indentation 或者 其它 意思.
C
0.08
0.20
C
一个
E
B
C
0.15
(2x)
C
D
C
0.15
(2x)
index mark
6
b
顶 视图
一侧 视图
CORNER
80X
A1
A2
一个
0.15 M C
MC
AB
0.08
管脚 a1
JK
E1
7
SE
一个
D1
eD
直流EFGH
8
7
6
4
3
2
1
eE
5
B
管脚 a1
CORNER
7
SD
bottom 视图
10
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