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资料编号:720899
 
资料名称:MAX1711EEG
 
文件大小: 299.07K
   
说明
 
介绍:
High-Speed, Digitally Adjusted Step-Down Controllers for Notebook CPUs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
max1710/max1711/max1712
高-速, digitally 调整
步伐-向下 控制者 为 notebook cpus
______________________________________________________________________________________ 15
tor 波纹 电流. 因此 这 精确的 电流-限制 char-
acteristic 和 最大 加载 能力 是 一个 函数 的
这 场效应晶体管 在-阻抗, inductor 值, 和 电池
电压. 这 reward 为 这个 uncertainty 是 强健的, 丧失-
较少 overcurrent 感觉到. 当 联合的 和 这 uvp
保护 电路, 这个 电流-限制 方法 是 有效的 在
almost 每 circumstance.
那里 是 也 一个 负的 电流 限制 那 阻止 exces-
sive 反转 inductor 电流 当 v
输出
是 sinking cur-
rent. 这 负的 电流-限制 门槛 是 设置 至
大概 120% 的 这 积极的 电流 限制, 和
因此 轨道 这 积极的 电流 限制 当 ilim 是
调整.
这 电流-限制 门槛 能 是 调整 和 一个 exter-
nal 电阻 (r
LIM
) 在 ilim. 一个 精确 5µa pullup 电流
源 在 ilim sets 一个 电压 漏出 在 这个 电阻,
调整 这 电流-限制 门槛 从 50mv 至
200mv. 在 这 可调整的 模式, 这 电流-限制 thresh-
old 电压 是 precisely 1/10th 这 电压 seen 在 ilim.
因此, choose r
LIM
equal 至 2k
/mv 的 这 电流-
限制 门槛. 这 门槛 defaults 至 100mv 当
ilim 是 系 至 v
CC
. 这 逻辑 门槛 为 switchover 至
这 100mv default 值 是 大概 v
CC
- 1v.
这 可调整的 电流 限制 能 accommodate
mosfets 和 atypical 在-阻抗 特性
(看
设计 程序
).
一个 电容 在 并行的 和 r
LIM
能 提供 一个 能变的
软-开始 函数.
carefully 注意到 这 pc 板 布局 指导原则 至
确保 那 噪音 和 直流 errors don’t corrupt 这 cur-
rent-sense 信号 seen 用 lx 和 pgnd. 这 ic 必须
是 挂载 关闭 至 这 低-一侧 场效应晶体管 和 短的,
直接 查出 制造 一个 kelvin-sense 连接 至 这
源 和 流 terminals.
场效应晶体管 门 驱动器 (dh, dl)
这 dh 和 dl 驱动器 是 优化 为 驱动 moder-
ate-大小, 高-一侧 和 大, 低-一侧 电源 mosfets.
这个 是 consistent 和 这 低 职责 因素 seen 在 这
notebook cpu 环境, 在哪里 一个 大 v
BATT
- v
输出
差别的 exists. 一个 adaptive dead-时间 电路 monitors
这 dl 输出 和 阻止 这 高-一侧 场效应晶体管 从 转变-
ing 在 直到 dl 是 全部地 止. 那里 必须 是 一个 低-resis-
tance, 低-电感 path 从 这 dl 驱动器 至 这
场效应晶体管 门 在 顺序 为 这 adaptive dead-时间 电路
至 工作 合适的. 否则, 这 sense 电路系统 在 这
max1710/max1711/max1712 将 interpret 这 场效应晶体管
门 作 “off” 当 那里 是 的确 安静的 承担 left 在 这
门. 使用 非常 短的, 宽 查出 测量 10 至 20
squares (50 至 100 毫英寸 宽 如果 这 场效应晶体管 是 1 inch
从 这 max1710/max1711/max1712).
这 dead 时间 在 这 其它 边缘 (dh turning 止) 是 deter-
mined 用 一个 fixed 35ns (典型值) 内部的 延迟.
这 内部的 pulldown 晶体管 那 驱动 dl 低 是
强健的, 和 一个 0.5
(典型值) 在-阻抗. 这个 helps 前-
vent dl 从 正在 牵引的 向上 在 这 快 上升 时间 的
这 inductor node, 预定的 至 电容的 连接 从 这
流 至 这 门 的 这 massive 低-一侧 同步的-
整流器 场效应晶体管. 不管怎样, 你 might 安静的 encounter
一些 结合体 的 高- 和 低-一侧 fets 那 将
导致 过度的 门-流 连接, 这个 能 含铅的 至
效率-killing, emi-producing shoot-通过 电流.
这个 能 常常 是 remedied 用 adding 一个 电阻 在 序列
和 bst, 这个 增加 这 转变-在 时间 的 这 高-
一侧 场效应晶体管 没有 degrading 这 转变-止 时间 (图示 5).
dac 转换器 (d0–d4)
这 dac programs 这 输出 电压. 它 receives 一个 digi-
tal 代号 从 管脚 在 这 cpu 单元 那 是 也
hard-连线的 至 地 或者 left 打开-电路. 这
max1710/max1711/max1712 包含 弱 内部的
BST
+5V
V
BATT
5
DH
LX
MAX1710
MAX1711
MAX1712
图示 5. 减少 这 切换-node 上升 时间
图示 4.”valley’’ 电流-限制 门槛 要点
inductor 电流
I
限制
I
加载
0 时间
lx-pgnd i
限制
门槛 = 100mv (名义上的, default)
电压 漏出 横过 q2
-i
顶峰
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