10
fn8110.0
april 11, 2005
表格 8.
cell charging 门槛 电压 选择.
cell 号码 选择
这 x3100 是 设计 至 运作 和 四 (4) li-ion
电池 cells. 这 x3101 是 设计 至 运作 和
三 (3) li-ion 电池 cells. 这 celln 位 的 这 con-
figuration 寄存器 (表格 9) sets 这 号码 的 cells
公认的. 为 这 x3101, 这 值 为 celln
应当 总是 是 零.
表格 9. 选择 的 号码 的 电池 cells
1
这 配置 寄存器组成 的 16 位 的
novram 记忆 (表格 2, 表格 3). 这个 记忆
特性 一个 高-速 静态的 内存 (sram) overlaid 位-
为-位 和 非-易变的“shadow” 可擦可编程只读存储器. 一个 自动-
matic 排列 recall 运作 reloads 这 内容 的 这
shadow 可擦可编程只读存储器 在 这 sram 配置 regis-
ter 在之上 电源-向上 (图示 3).
图示 3. 电源-向上 的
配置 寄存器
这 配置 寄存器 是 设计 为 unlimited
写 行动 至 sram, 和 一个 最小 的
1,000,000 store 行动 至这 可擦可编程只读存储器. 数据
保持 是 指定 至 是 更好 比 100 年.
它 应当 是 指出 那这 位 的 这 shadow
可擦可编程只读存储器 是 为 这 dedicated 使用 的 the configura-
tion 寄存器, 和 是 不部分 的 这 一般 目的
4kbit 可擦可编程只读存储器 排列.
T
he wcfig command 写 至 这 配置 reg-
ister, 看 表格 30 和 部分 “x3100/x3101 spi 串行
communication” 在 页 23.
之后 writing 至 这个 register 使用 一个 wcfig 操作指南,
数据 将 是 贮存 仅有的 在这 sram 的这 configura-
tion 寄存器. 在 顺序 至 store 数据 在 shadow
可擦可编程只读存储器, 一个 wren instruction, followed 用 一个
eewrite 至 任何 地址的 这 4kbit 可擦可编程只读存储器 mem-
ory 排列 必须 出现, 看 图示 4. 这个 sequence ini-
tiates 一个 内部的 nonvolatile 写 循环 这个 准许
数据 至 是 贮存 在 这 shadow 可擦可编程只读存储器 cells. 它
必须 是 指出 那 甚至 though 一个 eewrite 是 制造
至 这 一般 目的 4kbit 可擦可编程只读存储器 排列,这 值
和 地址 至 这个 它 是 written, 是 unimportant. 如果 这个
程序 是 不 followed, 这 配置 寄存器
将 电源-向上 至 这last 先前 贮存 值 fol-
lowing 一个 电源-向下 sequence.
配置 寄存器
位
运作VCE1 VCE0
00V
CE
= 0.5v
01V
CE
= 0.80v
10V
CE
= 1.10v
11V
CE
= 1.40v (default)
配置
寄存器 位
运作CELLN
1 4 li-ion 电池 cells (x3100 default)
0 3 li-ion 电池 cells (x3100 或者 x3101)
1. 在 这 情况 那 这 x3100 或者 x3101 是 配置 为 使用 和
仅有的 三 li-ion 电池 cells (i.e. celln = 0), 然后 vcell4
(管脚 7) 必须 是 系 至 vss (管脚 9) 至 确保 准确无误的 operation.
配置 寄存器 (sram)
shadow 可擦可编程只读存储器
Recall
Recall
upper 字节 更小的 字节
x3100, x3101
: 点此下载
