11
fn8110.0
april 11, 2005
图示 4. writing 至 配置 寄存器
控制 寄存器
这 控制 寄存器 是 realized 作 二 字节 的 vola-
tile 内存 (表格 10, 表格 11).这个 寄存器 是 写
使用 这 wcntr 操作指南, 看 表格 30 和 部分
“x3100/x3101 spi 串行 communication” 在 页 23.
表格 10. 控制 register—upper 字节
表格 11. 控制 register—lower 字节
自从 这 控制 寄存器 是 易变的, 数据 将 是 lost
下列的 一个 电源-向下 和 电源-向上 sequence.
这 default 值 的 这 控制 寄存器 在 最初的
电源-向上 或者 当 exiting 这 睡眠 模式 是 00h
(为 两个都 upper 和 更小的 字节 各自). 这
功能 那 能 是 manipulated 用 这 控制
寄存器 是 显示 在 表格 12.
表格 12. 控制 寄存器 符合实际
睡眠 控制 (slp)
设置 这 slp 位 至 ‘1’ forces 这 x3100 或者 x3101
在 这 睡眠 模式, 如果 v
CC
< v
SLP
. 看 部分 “sleep
mode” 在 页 16.
表格 13. 睡眠 模式 选择
15 14 13 12 11 10 9 8
CBC4 CBC3 CBC2 CBC1 UVPC OVPC CSG1 CSG0
7 6543210
SLP00xxxxx
配置 寄存器
(sram = old 值)
写
使能
写 至
4kbit 可擦可编程只读存储器
电源-向下
电源-向上
Store
(新 值)
在 Shadow
可擦可编程只读存储器
配置 寄存器
(sram = old 值)
wcfig (新 值)
数据 recalled
非
YES
WREN
EEWRITE
配置 寄存器
(sram = 新 值)
电源-向上
配置 寄存器
(sram = 新 值)
从 shadow
可擦可编程只读存储器 至 sram
数据 recalled
从 shadow
可擦可编程只读存储器 至 sram
数据 recalled
从 shadow
可擦可编程只读存储器 至 sram
电源-向下-
电源-在
位(s) 名字 函数
0-4 – (don’t 小心)
5,6 0, 0 reserved—write 0 至 这些 locations.
7 SLP 选择 睡眠 模式.
8,9 csg1,
CSG0
选择 电流 sense 电压 增益
10 OVPC ovp 控制: 转变 管脚 ovp = v
CC
/v
SS
11 UVPC uvp 控制: 转变 管脚 uvp = v
CC
/v
SS
12 CBC1 cb1 控制: 转变 管脚 cb1 = v
CC
/v
SS
13 CBC2 cb2 控制: 转变 管脚 cb2 = v
CC
/v
SS
14 CBC3 cb3 控制: 转变 管脚 cb3 = v
CC
/v
SS
15 CBC4 cb4 控制: 转变 管脚 cb4 = v
CC
/v
SS
控制 寄存器 位
运作SLP
0 正常的 运作 模式
1 设备 enters 睡眠 模式
x3100, x3101
: 点此下载
