X5043M8IZ_集成电路资料查询网

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fn8126.1
九月 16, 2005
V
TRIP
程序编制 定时 图解
SCK
SI
CS
01h 或者
V
CC
(v
TRIP
)
WP
t
TSU
t
THD
t
VPH
t
VPS
V
P
V
TRIP
t
RP
t
VPO
t
PCS
02h 06h
03h
V
TRIP
程序编制 参数
参数 描述 最小值 最大值 单位
t
VPS
V
TRIP
程序 使能 电压 建制 时间 1 µs
t
VPH
V
TRIP
程序 使能 电压 支撑 时间 1 µs
t
PCS
V
TRIP
程序编制 csinactive 时间 1 µs
t
TSU
V
TRIP
建制 时间 1µs
t
THD
V
TRIP
支撑 (稳固的) 时间 10 ms
t
WC
V
TRIP
写 循环 时间 10 ms
t
VPO
V
TRIP
程序 使能 电压 止 时间(在 successive adjustments) 0 µs
t
RP
V
TRIP
程序 恢复 时期 (在 successive adjustments) 10 ms
V
P
程序编制 电压 15 18 V
V
TRAN
V
TRIP
编写程序 电压 范围 1.7 4.75 V
V
tv
V
TRIP
程序 变化 之后 程序编制 (0-75°c). (编写程序 在 25°c.) -25 +25 mV
V
TRIP
程序编制 参数 是 periodically 抽样 和 是 不 100% 测试.
x5043, x5045

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17 fn8126.1 九月 16, 2005 V TRIP 程序编制定时图解 SCK SI CS 01h 或者 V CC (v TRIP ) WP t TSU t THD t VPH t VPS V P V TRIP t RP t VPO t PCS 02h 06h 03h V TRIP 程序编制参数参数描述最小值最大值单位 t VPS V TRIP 程序使能电压建制时间 1 µs t VPH V TRIP 程序使能电压支撑时间 1 µs t PCS V TRIP 程序编制 csinactive 时间 1 µs t TSU V TRIP 建制时间 1µs t THD V TRIP 支撑 (稳固的) 时间 10 ms t WC V TRIP 写循环时间 10 ms t VPO V TRIP 程序使能电压止时间(在 successive adjustments) 0 µs t RP V TRIP 程序恢复时期 (在 successive adjustments) 10 ms V P 程序编制电压 15 18 V V TRAN V TRIP 编写程序电压范围 1.7 4.75 V V tv V TRIP 程序变化之后程序编制 (0-75°c). (编写程序在 25°c.) -25 +25 mV V TRIP 程序编制参数是 periodically 抽样和是不 100% 测试. x5043, x5045

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