G-lINK
GLT725608
过激 高 效能 32k x 8 位 cmos 静态的 内存
二月, 2001(rev.2.4)
g-link 技术
2701 northwestern parkway
santa clara, ca 95051, 美国
g-link 技术 公司, 台湾
6f, 非. 24-2, 工业 e, rd, iv, science 为基础
工业的 园区,hsin chu, 台湾.
-7-
切换 波形 (写 循环)
写 循环 2
(1,6)
便条:
1.
我们
必须 是 高 在 地址 transitions.
2. 这 内部的 写 时间 的 这 记忆 是 定义 用 这 overlap
CE
低 和
我们
低. 所有 信号
必须 是 起作用的 至 initiate 一个 写 和 任何 一个 信号 能 terminate 一个 写 用 going inactive. 这
数据 输入 建制 和 支撑 定时 应当 是 关联 至 这 第二 转变 边缘 的 这
信号 那 terminates 这 写.
3. t
WR
是 量过的 从 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高 在 这 终止 的 写 循环.
4. 在 这个 时期, i/o 管脚 是 在 这输出 状态 所以 那 这 输入 信号 的 opposite 阶段 至
这 输出 必须 不 是 应用.
5. 如果 这
CE
低 转变 occurs 同时发生地 和 这
我们
低 transitions 或者 之后 这
我们
转变, 输出 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态.
6.
OE
是 continuously 低 (
OE
=V
IL
).
7. d
输出
是 这 一样 阶段 的 写 数据 的 这个 写 循环.
8. d
输出
是 这 读 数据 的 next 地址.
9. 如果
CE
是 低 在 这个 时期, i/o 管脚 是 在 这 输出 状态. 然后 这 数据 输入 信号 的
opposite 阶段 至 这 输出 必须 不 是 应用 至 它们.
10. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态 和 c
L
=5pf.
11.t
CW
是 量过的 从
CE
going 低 至 这 终止 的 写.
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