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资料编号:732198
 
资料名称:ZC930
 
文件大小: 123.35K
   
说明
 
介绍:
SILICON 12V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES
 
 


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zc930, zmv930, zv931 序列
公布 6 - january 2002
2
部分 电容
V
R
=1V
电容
V
R
=2.5v
电容
V
R
=4V
最小 Q
V
R
=4V
f=50MHz
最小值 pF 最小值 pF 最大值 pF 最大值 pF
930 8.70 4.30 5.50 2.90 200
931 13.50 6.50 7.80 4.00 300
932 17.00 8.50 10.50 5.50 200
933 42.00 18.00 27.00 12.00 150
933A 42.00 20.25 24.75 12.00 150
934 95.00 40.00 65.00 25.00 80
934A 95.00 47.25 57.75 25.00 80
tuning 特性 在 Tamb = 25
°
C
参数 标识 最大值 单位
反转 电压 V
R
12 V
向前 电流 I
F
100 毫安
电源 消耗 T
amb
=25
C SOT23 P
tot
330 mW
电源 消耗 T
amb
=25
C SOD323 P
tot
330 mW
电源 消耗 T
amb
=25
C SOD523 P
tot
250 mW
运行 存储 温度 范围 -55 +150
C
绝对 最大 比率
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
反转 损坏 电压 I
R
= 10uA 12 V
反转 电压 泄漏 V
R
= 8V 0.2 100 nA
温度 系数 电容 V
R
=3v,f=1mhz 300 400 ppcm/
C
电的 特性 在 Tamb = 25
°
C
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