telefunken 半导体
bzt55c...
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rev. a1: 12.12.1994
硅 外延的 planar z–diodes
特性
非常 sharp 反转 典型的
低 反转 电流 水平的
非常 高 稳固
低 噪音
有 和 tighter 容忍
产品
电压 stabilization
94 9373
绝对 最大 比率
T
j
= 25
C
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
电源 消耗 R
thJA
300k/w P
V
500 mW
Z–current I
Z
P
V
/v
Z
毫安
接合面 温度 T
j
175
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+175
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 pc 板 50mmx50mmx1.6mm R
thJA
500 k/w
特性
T
j
= 25
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=200mA V
F
1.5 V