ZX5T951G
半导体
公布 2 - 九月 2003
2
参数 标识 VALUE 单位
接合面 至 包围的
(一个)
R
JA
42 °c/w
注释
(一个) 为 一个 设备 表面 挂载 在 52mm x 52mm x 1.6mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 2oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm x 1.6mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
热的 阻抗
参数 标识 限制 单位
集电级-根基 电压 BV
CBO
-100 V
集电级-发射级 电压 BV
CEO
-60 V
发射级-根基 电压 BV
EBO
-7 V
持续的 集电级 电流 I
C
-5.5
一个
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-15 一个
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(一个)
直线的 减额 因素
P
D
3.0
24
W
mw/°c
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(b)
直线的 减额 因素
P
D
1.6
12.8
W
mw/°c
运行 和 存储 温度 范围 T
j
,t
stg
-55 至 +150 °C
绝对 最大 比率