ZXMN2A14F
半导体
公布 2 - 九月 2003
2
参数 标识 VALUE 单位
接合面 至 包围的
(一个)
R
JA
125 °c/w
接合面 至 包围的
(b)
R
JA
82 °c/w
注释
(一个) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 fr4 pcb 量过的 在 t
5 秒.
(c) repetitive 比率 - 25mm x 25mm fr4 pcb, d=0.02, 脉冲波 宽度 300
s - 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
热的 阻抗
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DSS
20 V
门-源 电压 V
GS
12 V
持续的 流 电流
@V
GS
=4.5v; T
一个
=25°C
(b)
@V
GS
=4.5v; T
一个
=70°C
(b)
@V
GS
=4.5v; T
一个
=25°C
(一个)
I
D
4.1
3.3
3.4
一个
一个
一个
搏动 流 电流
(c)
I
DM
19 一个
持续的 源 电流 (身体 二极管)
(b)
I
S
1.7 一个
搏动 源 电流 (身体 二极管)
(c)
I
SM
19 一个
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(一个)
直线的 减额 因素
P
D
1
8
W
mw/°c
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(b)
直线的 减额 因素
P
D
1.5
12
W
mw/°c
运行 和 存储 温度 范围 T
j
,t
stg
-55 至 +150 °C
绝对 最大 比率