2SK3567
2003-04-15
2
电的 特性
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
25 v, v
DS
=
0 v
±
10
µ
一个
门-源 损坏 电压 V
(br) gss
I
G
=±
10
µ
一个, v
GS
=
0 v
±
30
V
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
=
600 v, v
GS
=
0 v
100
µ
一个
流-源 损坏 电压 V
(br) dss
I
D
=
10 毫安, v
GS
=
0 v 600
V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
10 v, i
D
=
1 毫安 2.0
4.0 V
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
1.8 一个
1.7 2.2
Ω
向前 转移 admittance
Y
fs
V
DS
=
20 v, i
D
=
1.8 一个 TBD TBD
S
输入 电容 C
iss
TBD
反转 转移 电容 C
rss
TBD
输出 电容 C
oss
V
DS
=
25 v, v
GS
=
0 v, f
=
1 mhz
TBD
pF
上升 时间 t
r
TBD
转变-在 时间 t
在
TBD
下降 时间 t
f
TBD
切换 时间
转变-止 时间 t
止
TBD
ns
总的 门 承担 Q
g
TBD
门-源 承担 Q
gs
TBD
门-流 承担 Q
gd
V
DD
∼
−
400 v, v
GS
=
10 v, i
D
=
3.5 一个
TBD
nC
源-流 比率 和 特性
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 流 反转 电流
(便条 1)
I
DR
3.5 一个
脉冲波 流 反转 电流 (便条 1) I
DRP
14 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
=
3.5 一个, v
GS
=
0 v
−
1.9
V
反转 恢复 时间 t
rr
TBD
ns
反转 恢复 承担 Q
rr
I
DR
=
3.5 一个, v
GS
=
0 v,
dI
DR
/dt
=
100 一个/
µ
s
TBD
µ
C
R
L
=
111
Ω
0 v
10
V
V
GS
V
DD
∼
−
200 v
I
D
=
1.8a V
输出
4.7
Ω
职责
<
=
1%, t
w
=
10
µ
s
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