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DQ5
超过 定时 限制
dq5 将 表明 如果 这 程序 或者 擦掉 时间 有
超过 这 指定 限制. 这个 是 一个 失败 condi-
tion 和 这 设备 将 不 是 使用 又一次 (内部的
脉冲波 计数 超过). 下面 这些 情况 dq5
将 生产 一个 “1.” 这 程序 或者 擦掉 循环 是 不
successfully 完成. data# polling 是 这 仅有的 运算-
erating 函数 的 这 设备 下面 这个 情况. 这
ce# 电路 将 partially 电源 向下 这 设备 下面
这些 情况 (至 大概 2 毫安). 这 oe#
和 we# 管脚 将 控制 这 输出 使不能运转 功能
作 描述 在 这 command 定义 表格 在 这
相应的 设备 数据 薄板.
并行的 设备 erasure
这 embedded 擦掉 algorithm 非常 使简化 par-
allel 设备 erasure. 自从 这 擦掉 处理 是 内部的
至 这 设备, 一个 单独的 擦掉 command 能 是 给 至
多样的 设备 concurrently. 用 implementing 一个 paral-
lel 擦掉 algorithm, 总的 擦掉 时间 将 是 使减少到最低限度.
便条 那 这 flash memories 将 擦掉 在 不同的
比率. 如果 这个 是 这 情况, 当 一个 设备 是 完全地
erased, 使用 一个 masking 代号 至 阻止 更远 erasure
(在-erasure). 这 其它 设备 将 continue 至 擦掉
直到 核实. 这 masking 代号 应用 可以 是 这
读 command (00h).
电源-向上/电源-向下 sequence
这 设备 powers-向上 在 这 读 仅有的 模式. 电源
供应 sequencing 是 不 必需的. 便条 那 如果 v
CC
≤
1.0 volt, 这 电压 区别 在 v
PP
和 v
CC
应当 不 超过 10.0 伏特. 也, 这 设备 有 一个
上升 v
PP
上升 时间 和 下降 时间 规格 的 500 ns
最小.
重置 command
这 重置 command initializes 这 flash 记忆 de-
恶行 至 这 读 模式. 在 增加, 它 也 提供 这
用户 和 一个 safe 方法 至 abort 任何 设备 运作
(包含 程序 或者 擦掉).
这 重置 必须 是 写 二 consecutive 时间 之后
这 建制 程序 command (10h 或者 50h). 这个 将
重置 这 设备 至 这 读 模式.
下列的 任何 其它 flash command, 写 这 重置
command once 至 这 设备. 这个 将 safely abort 任何
previous 运作 和 initialize 这 设备 至 这 读
模式.
这 建制 程序 command (10h 或者 50h) 是 这 仅有的
command 那 需要 一个 二-sequence 重置 循环. 这
第一 重置 command 是 interpreted 作 程序 数据.
不管怎样, ffh 数据 是 考虑 作 无效的 数据 在 pro-
gramming 行动 (记忆 cells 是 仅有的 pro-
grammed 从 一个 logical “1" 至 “0"). 这 第二 重置
command safely aborts 这 程序编制 运作 和
resets 这 设备 至 这 读 模式.
记忆 内容 是 不 改变 在 任何 情况.
CE#
t
OEH
WE#
OE#
数据
DQ0–DQ7
dq6 = dq6 =
DQ6
停止 toggling
DQ0–DQ7
有效的
t
OE
*
18879c-11
便条:
*dq6 stops toggling (这 设备 有 完成 这 embedded 运作.)
图示 6. 交流 波形 为 toggle 位 在 embedded algorithm 行动
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