数据手册 tle6280gp
作 soon 作 这 自举 电压 recovers, the 输出 平台 情况 将 是 排整齐 至 这
输入 patterns 用 这 next changing 输入 信号 在 这 相应的 输入 管脚.
Diagnosis
这 err 管脚 是 一个 打开 集电级 输出 和 有 至 是 牵引的 向上 和 外部 拉-向上 resis-
tors 至 5v. 在 正常的 情况 这 err 信号 是 高. 在 情况 的 一个 错误 这 err 管脚 是
牵引的 向下. 那里 是 3 不同的 导致 为 一个 错误 信号:
1) 短的 电路 的 一个 外部 场效应晶体管 – 所有 外部 mosfets 是 切换 止. 这 驱动器 有
至 是 重置 至 开始 又一次.
2) 欠压 警告: 在 least 一个 的 这 外部 电容 连接 至 bxx 管脚 有
一个 电压 在下 这 警告 水平的.
3) 在-温度 警告: 这 设备 工作 正常情况下 但是 是 输出 的 这 最大 比率.
立即的 actions 有 至 是 taken 至 减少 这 热的 加载. 这 错误 标记 将 是 re-
moved 当 这 驱动器 reached 温度 在下 这 在 温度 警告 水平的.
或者
ERR
iscp (vmfp)
3.3µa
0.3µa
10pF
温度
传感器
i 欠压
τ
approx. 1µs
图. 5: 块 图解 的 err 符合实际
di/dt 控制
在 所有 高 电流 pwm 产品, 瞬时 overvoltages 和 electro-有磁性的 emmisions
是 核心的 items. 这 di/dt 规章制度 的 这 tle6280gp helps 至 减少 瞬时 overvolt-
age 作 好 作 electro-有磁性的 emissions.
各自 real 桥 配置 有 偏离 电感 在 各自 half-桥. 当 这 mosfets 在
这 桥 是 切换 和 加载 电流 是 流, 这 偏离 电感 一起 和 这
di/dt 在 这 halfbridge causies 瞬时 在电压. 这些 瞬时 overvoltages 能 是
喂养 至 这 didt 管脚 的 这 门 驱动器 用 一个 高 通过 过滤. 电压 exceeding 2 至 5v 或者 –2
至 –5v 在 这个 管脚 将 strongly 减少 这 门电流 的 这 的确 切换 场效应晶体管, 结果-
ing 在 一个 增加 切换 时间 在 这 miller plateau 的 这 场效应晶体管, 和 减少 这
切换 速 exactly 和 仅有的 在 这 核心的 范围 的 这 切换 处理. 通过 这个
规章制度 在-电压 是 减少 和 一个 smoother di/dt 在 这 桥 是 得到.
为 更多 详细地 信息 请 谈及 至 应用 便条.
estimation 的 电源 消耗 在里面 这 驱动器 ic
8 2004-03-31
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