km416c256d, km416v256d cmos dram
注释
一个 最初的 pause 的 200us 是 必需的 之后 电源-向上 followed 用 任何 8 ror 或者CBR循环 在之前 恰当的 设备 运作 是
达到.
输入 电压 水平 是 vih/vil. vIH(最小值) 和 vIL(最大值) 是 涉及 水平 为 测量 定时 的 输入 信号.
转变 时间 是 量过的 在 vIH(最小值) 和 vIL(最大值) 和 是 assumed 至 是 5ns 为 所有 输入.
量过的 和 一个 加载 相等的 至 2 ttl(5v)/1ttl(3.3v) 负载 和 50pf.
运作 在里面 这tRCD(最大值) 限制 insures 那tRAC(最大值) 能 是 符合.tRCD(最大值) 是 指定 作 一个 涉及 要点 仅有的.
如果tRCD是 更好 比 这 指定tRCD(最大值) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 exclusively 用tCAC.
假设 那tRCD
¡Ã
tRCD(最大值).
这个 参数 定义 这 时间 在 这个 这 输出 achieves 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 voh或者 vol.
tWCS,tRWD,tCWD,tAWD和tCPWD是 非 restrictive 运行 参数. 它们 是 包含 在 这 数据 薄板 作 电的
特性 仅有的. 如果tWCS
¡Ã
tWCS(最小值), 这 循环 是 一个 early 写 循环 和 这 数据 输出 将 仍然是 高 阻抗 为
这 持续时间 的 这 循环. 如果tCWD
¡Ã
tCWD(最小值),tRWD
¡Ã
tRWD(最小值),tAWD
¡Ã
tAWD(最小值) 和tCPWD
¡Ã
tCPWD(最小值) 然后 这 循环 是 一个
读-modify-写 循环 和 这 数据 输出 将 包含 这 数据 读 从 这 选择 地址. 如果 neither 的 这 在之上 con-
ditions 是 satisfied, 这 情况 的 这 数据 输出 是 indeterminate.
也tRCH或者tRRH必须 是 satisfied 为 一个 读 循环.
这些 参数 是 关联 至 这CASleading 边缘 在 ealy 写 循环 和 至 这W下落 边缘 在OE控制
写 循环 和 读-modify-写 循环.
运作 在里面 这tRAD(最大值) 限制 insures 那tRAC(最大值) 能 是 符合.tRAD(最大值) 是 指定 作 一个 涉及 要点 仅有的. 如果
tRAD是 更好 比 这 指定tRAD(最大值) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 用tAA.
km416c/v256d/dl 真实 表格
RAS LCAS UCAS W OE dq0 - dq7 dq8-dq15 状态
H H H H H hi-z hi-z 备用物品
L H H H H hi-z hi-z Refresh
L L H H L dq-输出 hi-z 字节 读
L H L H L hi-z dq-输出 字节 读
L L L H L dq-输出 dq-输出 文字 读
L L H L H dq-在 - 字节 写
L H L L H - dq-在 字节 写
L L L L H dq-在 dq-在 文字 写
L L L H H hi-z hi-z -
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